| 致谢 | 第5-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 1 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 a-Si TFT简介 | 第11-21页 |
| 1.2.1 a-Si TFT的结构及工作原理 | 第11-12页 |
| 1.2.2 a-Si TFT的主要参数 | 第12-14页 |
| 1.2.3 a-Si TFT的局域态 | 第14页 |
| 1.2.4 a-Si TFT的沟道特性 | 第14-17页 |
| 1.2.5 a-Si TFT的欧姆接触 | 第17页 |
| 1.2.6 Ⅰ-Ⅴ特性曲线区域的划分 | 第17-21页 |
| 1.3 a-Si TFT模型的研究现状 | 第21-22页 |
| 1.4 a-Si TFT模型参数的提取及优化 | 第22-23页 |
| 1.5 本论文的研究意义及内容 | 第23-24页 |
| 2 模拟工具及模型 | 第24-28页 |
| 2.1 模拟工具 | 第24-25页 |
| 2.1.1 Matlab介绍 | 第24页 |
| 2.1.2 Smartspice介绍 | 第24页 |
| 2.1.3 UtmostⅢ介绍 | 第24-25页 |
| 2.2 Level 35模型介绍 | 第25-28页 |
| 3 模型参数提取方法研究 | 第28-37页 |
| 3.1 模型初始参数自动化提取工具的建立 | 第28-30页 |
| 3.1.1 模型初始参数提取限制条件 | 第29页 |
| 3.1.2 Matlab编程实现模型初始参数自动提取 | 第29-30页 |
| 3.2 基于Utmost的模型参数分区域提取 | 第30-34页 |
| 3.2.1 阈上区参数提取 | 第30-31页 |
| 3.2.2 亚阈值区参数提取 | 第31-32页 |
| 3.2.3 截止区参数提取 | 第32-34页 |
| 3.3 模型适用性验证 | 第34-35页 |
| 3.4 基于Smartspice的模型仿真 | 第35-36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 4 基于阈值电压漂移特性的a-Si TFT模型研究 | 第37-51页 |
| 4.1 阈值电压的偏压特性研究 | 第37-46页 |
| 4.1.1 阈值电压的偏压特性 | 第37-41页 |
| 4.1.2 偏压特性相关参数提取 | 第41-45页 |
| 4.1.3 偏压特性模型的修正 | 第45-46页 |
| 4.2 阈值电压的温度特性研究 | 第46-50页 |
| 4.2.1 阈值电压的温度特性 | 第46-49页 |
| 4.2.2 温度特性相关参数提取 | 第49-50页 |
| 4.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 5 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 附录A | 第55-60页 |
| 作者简历 | 第60-62页 |
| 学位论文数据集 | 第62页 |