| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-28页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 一维半导体纳米材料简介 | 第11-17页 |
| 1.2.1 ZnO 纳米材料结构和性质 | 第12页 |
| 1.2.2 一维 ZnO 纳米材料在科研领域中的位置 | 第12-14页 |
| 1.2.3 一维 ZnO 纳米材料的应用 | 第14-17页 |
| 1.3 肖特基势垒简介 | 第17-22页 |
| 1.3.1 肖特基势垒模型的一般分析 | 第17-19页 |
| 1.3.2 一维纳米肖特基器件的研究 | 第19-20页 |
| 1.3.3 一维纳米肖特基势垒结构的研究 | 第20-22页 |
| 1.4 目前存在的主要问题 | 第22页 |
| 1.5 本论文研究的目的、思路和主要内容 | 第22-24页 |
| 1.5.1 论文的研究目的及思路 | 第22页 |
| 1.5.2 论文的主要内容 | 第22-24页 |
| 参考文献 | 第24-28页 |
| 第二章 ZnO 纳米线的制备、表征及单根肖特基器件的构筑 | 第28-42页 |
| 2.1 引言 | 第28页 |
| 2.2 VLS 生长机制 | 第28-29页 |
| 2.3 ZnO 纳米线的制备和表征 | 第29-36页 |
| 2.3.1 ZnO 纳米线的制备 | 第29-30页 |
| 2.3.2 ZnO 纳米线的表征 | 第30-36页 |
| 2.4 单根 ZnO 纳米线肖特基器件的构筑 | 第36-38页 |
| 2.4.1 电场组装原理 | 第36页 |
| 2.4.2 单根 ZnO 纳米线器件组装过程 | 第36-38页 |
| 2.5 本章小结 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-42页 |
| 第三章 基于 C-AFM 的单根 ZnO 纳米带器件微区电学特性研究 | 第42-52页 |
| 3.1 引言 | 第42页 |
| 3.2 基于四电极测试法用于电学性能的研究 | 第42-44页 |
| 3.3 基于 C-AFM 的微区电学性质的测试 | 第44-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 第四章 单根 ZnO 纳米线的电流截止特性及其有限元理论分析 | 第52-64页 |
| 4.1 引言 | 第52-54页 |
| 4.2 ZnO 纳米线肖特基势垒的电流截止特质研究 | 第54-57页 |
| 4.2.1 电流饱和特性分析 | 第54-55页 |
| 4.2.2 动态波形测试分析 | 第55-57页 |
| 4.3 基于 ANSYS 软件对纳米线肖特基势垒结构的模拟 | 第57-61页 |
| 4.3.1 ANSYS 有限元简介 | 第57页 |
| 4.3.2 纳米线肖特基势垒静电场模拟 | 第57-60页 |
| 4.3.3 一维肖特基势垒结构模型 | 第60-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 总结与展望 | 第64-66页 |
| 论文总结 | 第64页 |
| 展望 | 第64-66页 |
| 攻读硕士学位期间完成的工作 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
