| 中文摘要 | 第8-10页 |
| Abstract | 第10-12页 |
| 符号说明 | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-22页 |
| 1.1 引言 | 第14页 |
| 1.2 二维纳米材料简介和应用 | 第14-15页 |
| 1.3 二维异质结的发展 | 第15-17页 |
| 1.3.1 纵向异质结 | 第15-16页 |
| 1.3.2 横向异质结 | 第16-17页 |
| 1.4 本论文的研究内容 | 第17页 |
| 参考文献 | 第17-22页 |
| 第二章 相应的理论基础和相关的软件介绍 | 第22-32页 |
| 2.1 求解多粒子体系薛定谔方程 | 第22-24页 |
| 2.1.1 Born-Oppenhenimer近似 | 第23页 |
| 2.1.2 Hartree-Fock近似 | 第23-24页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第24-27页 |
| 2.2.1 Thomas-Fermi模型 | 第24-25页 |
| 2.2.2 Hohenherg-Kohn定理 | 第25-26页 |
| 2.2.3 Kohn-Sham方程 | 第26-27页 |
| 2.3 交换关联泛函 | 第27-29页 |
| 2.3.1 局域密度近似(LDA) | 第27-28页 |
| 2.3.2 广义梯度近似(GGA) | 第28页 |
| 2.3.3 轨道泛函LDA/GGA+U | 第28-29页 |
| 2.3.4 杂化密度泛函(HSE) | 第29页 |
| 2.4 本文采用的第一性原理计算软件包的介绍 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-32页 |
| 第三章 WS_2/WSe_2/MoS_2二维平面异质结构的电子性质 | 第32-44页 |
| 3.1 研究背景 | 第32-33页 |
| 3.2 计算方法 | 第33页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第33-39页 |
| 3.3.1 WS_2/WSe_2/MoS_2平面异质结的结构和稳定性 | 第33-35页 |
| 3.3.2 WS_2/WSe_2/MoS_2平面异质结的能带结构 | 第35-38页 |
| 3.3.3 WS_2/WSe_2/MoS_2平面异质结的界面性质 | 第38-39页 |
| 3.4 总结 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-44页 |
| 第四章 氟化graphene/h-BN横向异质结电子性质的研究 | 第44-54页 |
| 4.1 研究背景 | 第44-45页 |
| 4.2 计算方法和模型 | 第45-46页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第46-50页 |
| 4.3.1 氟化graphene/h-BN横向异质结的几何结构 | 第46-47页 |
| 4.3.2 氟化graphene/h-BN横向异质结的结构稳定性 | 第47-49页 |
| 4.3.3 氟化graphene/h-BN横向异质结的电子性质 | 第49-50页 |
| 4.4 小结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 第五章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 5.1 总结 | 第54-55页 |
| 5.2 展望 | 第55-56页 |
| 硕士期间发表的学术论文目录 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |
| 附录: 攻读硕士期间所发表的英文论文(原文) | 第60-69页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第69页 |
