双腔CVD系统的研制及石墨烯上氮化镓生长行为的研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-29页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 GaN、石墨烯的结构和基本性质 | 第10-11页 |
| 1.3 氮化镓的制备方法 | 第11-15页 |
| 1.4 石墨烯的制备方法 | 第15-18页 |
| 1.5 表征手段 | 第18-25页 |
| 1.5.1 扫描电子显微镜（SEM） | 第18-19页 |
| 1.5.2 透射电子显微镜（TEM） | 第19-20页 |
| 1.5.3 拉曼光谱（Raman） | 第20-23页 |
| 1.5.4 X 射线衍射（XRD） | 第23-25页 |
| 1.6 石墨烯/氮化镓复合结构的应用前景 | 第25-28页 |
| 1.7 论文的工作安排 | 第28-29页 |
| 第二章 双腔 CVD 系统的研制 | 第29-48页 |
| 2.1 引言 | 第29-30页 |
| 2.2 腔室部分 | 第30-38页 |
| 2.2.1 石英腔室 | 第30-34页 |
| 2.2.2 金属腔室 | 第34-38页 |
| 2.3 系统气路部分 | 第38-42页 |
| 2.4 外围设备部分 | 第42-47页 |
| 2.4.1 冷却系统 | 第43页 |
| 2.4.2 真空系统 | 第43-45页 |
| 2.4.3 控制系统 | 第45-47页 |
| 2.5 小结 | 第47-48页 |
| 第三章 铜衬底上 CVD 石墨烯的生长与表征 | 第48-57页 |
| 3.1 引言 | 第48页 |
| 3.2 实验方法和样品制备 | 第48-53页 |
| 3.2.1 化学气相沉积（CVD）系统 | 第48-49页 |
| 3.2.2 实验准备与铜箔预处理 | 第49-51页 |
| 3.2.3 石墨烯的生长和转移 | 第51-53页 |
| 3.3 石墨烯的表征 | 第53-56页 |
| 3.4 小结 | 第56-57页 |
| 第四章 石墨烯上氮化镓的生长与表征 | 第57-68页 |
| 4.0 引言 | 第57页 |
| 4.1 薄膜的三种生长模式 | 第57-58页 |
| 4.2 蓝宝石/石墨烯上氮化镓的生长 | 第58-61页 |
| 4.3 MO-GaN/石墨烯上氮化镓的生长 | 第61-64页 |
| 4.4 石英/石墨烯上氮化镓的生长 | 第64-66页 |
| 4.5 石墨烯上氮化镓生长的意义 | 第66-67页 |
| 4.6 小结 | 第67-68页 |
| 第五章 总结与展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 攻读硕士期间投稿和发表的论文 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
