| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 引言 | 第10-13页 |
| 1.2 国际重大进展 | 第13页 |
| 1.2.1 电力电子器件技术 | 第13页 |
| 1.2.2 半导体激光器技术 | 第13页 |
| 1.3 国内研发现状 | 第13-14页 |
| 1.3.1 化合物半导体电子材料与器件 | 第14页 |
| 1.3.2 化合物半导体光电子材料与器件 | 第14页 |
| 1.4 发展趋势和前沿展望 | 第14-15页 |
| 1.5 论文原创点 | 第15页 |
| 1.6 主要研究内容 | 第15-16页 |
| 第2章 氮化镓基蓝光LED外延生长 | 第16-37页 |
| 2.1 能带计算 | 第16-17页 |
| 2.1.1 组分计算 | 第16-17页 |
| 2.2 设法生长出In0.2Ga0.8N并实现发光 | 第17页 |
| 2.3 生长衬底选择 | 第17-18页 |
| 2.4 外延生长晶格失配 | 第18-19页 |
| 2.5 应力和张力外延层 | 第19页 |
| 2.6 本征氮化镓生长 | 第19-30页 |
| 2.6.1 N型氮化镓 | 第22-23页 |
| 2.6.2 barrier(垒) | 第23-24页 |
| 2.6.3 量子阱(well) | 第24页 |
| 2.6.4 period well and barrier loop | 第24-25页 |
| 2.6.5 第五个阱 | 第25页 |
| 2.6.6 最后的垒(伪GaN) | 第25-26页 |
| 2.6.7 电子阻挡层(p-AlGaN) | 第26-27页 |
| 2.6.8 P-GaN层 | 第27-28页 |
| 2.6.9 重掺杂P-GaN | 第28-29页 |
| 2.6.10 GaN多晶层 | 第29-30页 |
| 2.7 输出功率 | 第30-31页 |
| 2.8 蓝宝石上生长发光二极管的晶体缺陷分析 | 第31-35页 |
| 2.8.1 材料生长 | 第31页 |
| 2.8.2 材料表征结果分析 | 第31-35页 |
| 2.8.3 小结 | 第35页 |
| 2.9 本章小结 | 第35-37页 |
| 第3章 铝镓氮基深紫外LED外延生长和缺陷分析 | 第37-49页 |
| 3.1 铝镓氮基深紫外LED外延生长 | 第37-40页 |
| 3.2 AlGaN侧向外延生长中晶体缺陷分析 | 第40-47页 |
| 3.2.1 材料生长 | 第40页 |
| 3.2.2 侧向外延的AlN层生长在与M面有倾角的图形化蓝宝石衬底上 | 第40-44页 |
| 3.2.3 在ElO-AlN(m)衬底上生长AlGaN层的缺陷分布 | 第44-47页 |
| 3.2.4 小结 | 第47页 |
| 3.3 本章小结 | 第47-49页 |
| 第4章 太阳盲探测器 | 第49-54页 |
| 4.1 P型半导体—本征半导体—N型半导体(PIN)太阳盲探测器 | 第49-51页 |
| 4.1.1 PIN太阳盲探测器件材料生长 | 第49-50页 |
| 4.1.2 PIN太阳盲探测器件表征 | 第50-51页 |
| 4.2 金属-半导体-金属(MSM)太阳盲探测器 | 第51-53页 |
| 4.2.1 MSM太阳盲探测器件材料生长 | 第51-53页 |
| 4.2.2 MSM探测器器件表征 | 第53页 |
| 4.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 第5章 金属有机化学气相淀积设备 | 第54-63页 |
| 5.1 商用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备简介 | 第54-59页 |
| 5.1.1 反应物MO源 | 第55-57页 |
| 5.1.2 金属有机化学气相淀积设备气路图 | 第57-58页 |
| 5.1.3 金属有机化学气相淀积设备腔体 | 第58-59页 |
| 5.2 极高温度金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备简介 | 第59-62页 |
| 5.2.1 极高温系统 | 第59页 |
| 5.2.2 极高温系统的缺点 | 第59-62页 |
| 5.2.3 小结 | 第62页 |
| 5.3 本章小结 | 第62-63页 |
| 第6章 结论 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 在学研究成果 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
