| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 存储器技术概述 | 第7-14页 |
| 1.1 引言 | 第7页 |
| 1.2 有机电子学发展 | 第7-8页 |
| 1.3 有机电存储材料特征 | 第8-9页 |
| 1.4 M-O-M结构非易失性有机存储器 | 第9-10页 |
| 1.5 有机存储器件的开关特性 | 第10-11页 |
| 1.6 一次写入多次读取式存储器(WORM) | 第11-14页 |
| 第二章 存储器件制备工艺与工作机制 | 第14-20页 |
| 2.1 分子自组装原理 | 第14-15页 |
| 2.1.1 分子自组装概述 | 第14-15页 |
| 2.1.2 分子自组装分类 | 第15页 |
| 2.2 存储器件的开关机制 | 第15-18页 |
| 2.2.1 导电通道(filament)形成-断裂机制 | 第15-16页 |
| 2.2.2 陷阱填充机制 | 第16-17页 |
| 2.2.3 分子结构变化机制 | 第17-18页 |
| 2.3 用到的有机半导体内的电流模式 | 第18-20页 |
| 2.3.1 空间电荷限制电流(trap-free & trap-limited SCLC)模式 | 第18-20页 |
| 第三章 实验部分 | 第20-26页 |
| 3.1 实验材料及仪器设备 | 第20-21页 |
| 3.2 器件制备 | 第21-24页 |
| 3.2.1 金属电极制备 | 第22-23页 |
| 3.2.2 功能层分子自组装 | 第23-24页 |
| 3.3 测试方法 | 第24-26页 |
| 3.3.1 电双稳特性测定 | 第24页 |
| 3.3.2 器件跃迁时间测定 | 第24-26页 |
| 第四章 基于DMcT分子自组装的WORM器件特性 | 第26-46页 |
| 4.1 基于DMcT的M/O/M结构薄膜器件的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第26-28页 |
| 4.2 基于DMcT的M/O/M结构薄膜器件的阈值统计 | 第28-33页 |
| 4.3 DMcT/乙醇溶液浓度对器件性能的影响 | 第33-34页 |
| 4.4 Al电极氧化层厚度对器件性能的影响 | 第34-38页 |
| 4.5 Al(-)/DMcT/Cu(+)器件性能 | 第38-39页 |
| 4.6 界面对器件性能的影响 | 第39-40页 |
| 4.7 器件高、低阻状态稳定性 | 第40-41页 |
| 4.8 低阻状态器件R-T特性 | 第41-42页 |
| 4.9 器件的电容特性(C-F) | 第42-43页 |
| 4.10 延伸实验 | 第43-44页 |
| 本章小结 | 第44-46页 |
| 第五章 基于Cu-DMcT配位聚合物的WORM器件特性 | 第46-55页 |
| 5.1 器件制备 | 第46页 |
| 5.2 实验参数选择 | 第46-47页 |
| 5.3 器件特征曲线 | 第47-48页 |
| 5.4 器件开关特性 | 第48-49页 |
| 5.5 器件电容特性(C-F) | 第49-50页 |
| 5.6 器件稳定性 | 第50-52页 |
| 5.7 薄膜表征 | 第52-53页 |
| 本章小结 | 第53-54页 |
| 展望 | 第54-55页 |
| 附录 “动态”分子整流器研究 | 第55-65页 |
| 6.1 引言 | 第55-56页 |
| 6.2 有机分子整流器工艺简介 | 第56-57页 |
| 6.3 有机分子整流器实例 | 第57-60页 |
| 6.3.1 基于氧化还原反应的有机分子整流器 | 第57-59页 |
| 6.3.2 非对称电极下C_(60)分子的可控整流效应 | 第59-60页 |
| 6.4 实验 | 第60-63页 |
| 6.4.1 实验分子 | 第60-62页 |
| 6.4.2 器件制备及性能测试 | 第62-63页 |
| 6.5 结果与讨论 | 第63-64页 |
| 6.6 展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-72页 |
| 发表论文及专利 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
