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基于界面自组装薄膜的电存储器件的研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
第一章 存储器技术概述第7-14页
    1.1 引言第7页
    1.2 有机电子学发展第7-8页
    1.3 有机电存储材料特征第8-9页
    1.4 M-O-M结构非易失性有机存储器第9-10页
    1.5 有机存储器件的开关特性第10-11页
    1.6 一次写入多次读取式存储器(WORM)第11-14页
第二章 存储器件制备工艺与工作机制第14-20页
    2.1 分子自组装原理第14-15页
        2.1.1 分子自组装概述第14-15页
        2.1.2 分子自组装分类第15页
    2.2 存储器件的开关机制第15-18页
        2.2.1 导电通道(filament)形成-断裂机制第15-16页
        2.2.2 陷阱填充机制第16-17页
        2.2.3 分子结构变化机制第17-18页
    2.3 用到的有机半导体内的电流模式第18-20页
        2.3.1 空间电荷限制电流(trap-free & trap-limited SCLC)模式第18-20页
第三章 实验部分第20-26页
    3.1 实验材料及仪器设备第20-21页
    3.2 器件制备第21-24页
        3.2.1 金属电极制备第22-23页
        3.2.2 功能层分子自组装第23-24页
    3.3 测试方法第24-26页
        3.3.1 电双稳特性测定第24页
        3.3.2 器件跃迁时间测定第24-26页
第四章 基于DMcT分子自组装的WORM器件特性第26-46页
    4.1 基于DMcT的M/O/M结构薄膜器件的Ⅰ-Ⅴ特性第26-28页
    4.2 基于DMcT的M/O/M结构薄膜器件的阈值统计第28-33页
    4.3 DMcT/乙醇溶液浓度对器件性能的影响第33-34页
    4.4 Al电极氧化层厚度对器件性能的影响第34-38页
    4.5 Al(-)/DMcT/Cu(+)器件性能第38-39页
    4.6 界面对器件性能的影响第39-40页
    4.7 器件高、低阻状态稳定性第40-41页
    4.8 低阻状态器件R-T特性第41-42页
    4.9 器件的电容特性(C-F)第42-43页
    4.10 延伸实验第43-44页
    本章小结第44-46页
第五章 基于Cu-DMcT配位聚合物的WORM器件特性第46-55页
    5.1 器件制备第46页
    5.2 实验参数选择第46-47页
    5.3 器件特征曲线第47-48页
    5.4 器件开关特性第48-49页
    5.5 器件电容特性(C-F)第49-50页
    5.6 器件稳定性第50-52页
    5.7 薄膜表征第52-53页
    本章小结第53-54页
    展望第54-55页
附录 “动态”分子整流器研究第55-65页
    6.1 引言第55-56页
    6.2 有机分子整流器工艺简介第56-57页
    6.3 有机分子整流器实例第57-60页
        6.3.1 基于氧化还原反应的有机分子整流器第57-59页
        6.3.2 非对称电极下C_(60)分子的可控整流效应第59-60页
    6.4 实验第60-63页
        6.4.1 实验分子第60-62页
        6.4.2 器件制备及性能测试第62-63页
    6.5 结果与讨论第63-64页
    6.6 展望第64-65页
参考文献第65-72页
发表论文及专利第72-73页
致谢第73-74页

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