| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 光纤通信 | 第9-10页 |
| 1.2 光接收机系统简介 | 第10-11页 |
| 1.3 标准 SiGe BiCMOS 工艺光接收机的国内外研究进展 | 第11-12页 |
| 1.4 论文组织 | 第12-14页 |
| 第二章 光接收机的基本概念与性能参数 | 第14-21页 |
| 2.1 SiGe BiCMOS 工艺简介 | 第14-15页 |
| 2.1.1 工艺选择 | 第14页 |
| 2.1.2 SiGe BiCMOS 工艺的结构特点 | 第14-15页 |
| 2.2 光接收机系统的基本概念与性能指标 | 第15-21页 |
| 2.2.1 数据传输格式 | 第15-16页 |
| 2.2.2 标准 SiGe BiCMOS 工艺光接收机的噪声特性 | 第16-17页 |
| 2.2.3 光接收机的性能参数 | 第17-21页 |
| 第三章 标准 SiGe BiCMOS 光电探测器设计与仿真 | 第21-36页 |
| 3.1 光电探测器的工作机理和性能参数 | 第21-24页 |
| 3.1.1 光电探测器的工作原理 | 第21-22页 |
| 3.1.2 光电探测器性能参数 | 第22-24页 |
| 3.2 光电探测器的基本结构 | 第24-28页 |
| 3.2.1 PN 结型光电探测器 | 第24-26页 |
| 3.2.2 PIN 光电探测器 | 第26-27页 |
| 3.2.3 雪崩光电探测器（APD） | 第27页 |
| 3.2.4 双光电探测器（DPD） | 第27-28页 |
| 3.3 标准 SiGe BiCMOS 工艺光电探测器的分析与仿真 | 第28-36页 |
| 3.3.1 标准 SiGe BiCMOS 工艺的 PN 结型光电探测器的分析与仿真 | 第29-32页 |
| 3.3.2 标准 SiGe BiCMOS 工艺的 PIN 结型光电探测器的分析与仿真 | 第32-35页 |
| 3.3.3 总结 | 第35-36页 |
| 第四章 光接收机前端放大电路分析与仿真 | 第36-52页 |
| 4.1 前置放大器 | 第36-45页 |
| 4.1.1 前置放大器的分类 | 第36-39页 |
| 4.1.2 跨阻前置放大器的性能分析 | 第39-41页 |
| 4.1.3 RGC 结构跨阻放大器的基本原理与仿真 | 第41-45页 |
| 4.2 限幅放大器 | 第45-50页 |
| 4.2.1 限幅放大器的性能参数 | 第46-47页 |
| 4.2.2 限幅放大器的设计与仿真 | 第47-50页 |
| 4.3 输出缓冲级 | 第50-52页 |
| 第五章 光接收机整体仿真与版图设计 | 第52-57页 |
| 5.1 光接收机的整体仿真 | 第52-54页 |
| 5.2 光接收机的版图设计 | 第54-57页 |
| 5.2.1 版图设计要点 | 第54-55页 |
| 5.2.2 光接收机版图设计 | 第55-57页 |
| 第六章 光接收机的测试 | 第57-61页 |
| 6.1 测试概述 | 第57页 |
| 6.2 光接收机测试结果 | 第57-61页 |
| 6.2.1 光接收机电路测试结果 | 第57-59页 |
| 6.2.2 共射共栅结构光接收机模拟前端电路测试结果 | 第59-60页 |
| 6.2.3 集成 PIN 光电探测器接收机芯片 | 第60-61页 |
| 第七章 总结 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
