| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 研究意义 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外研究现状及发展动态 | 第12-17页 |
| 1.2.1 基于空间结构的多模复用/解复用技术 | 第13-14页 |
| 1.2.2 基于点发射结构的多模复用/解复用技术 | 第14-15页 |
| 1.2.3 基于硅基垂直耦合结构的多模复用/解复用技术 | 第15页 |
| 1.2.4 基于波导耦合器结构的多模复用/解复用技术 | 第15-17页 |
| 1.2.5 结构对比分析 | 第17页 |
| 1.3 论文工作主要内容及创新 | 第17-20页 |
| 1.3.1 论文工作主要内容 | 第18-19页 |
| 1.3.2 本论文研究的创新之处 | 第19-20页 |
| 第二章 基于硅基定向耦合器的模式转换器研究 | 第20-34页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 波导的模式特性的理论研究 | 第20-25页 |
| 2.2.1 波导的模式、损耗特性 | 第20-22页 |
| 2.2.2 高阶模产生机制的研究 | 第22-25页 |
| 2.3 基于硅基定向耦合器的模式转换器 | 第25-33页 |
| 2.3.1 工作原理 | 第25-27页 |
| 2.3.2 弯曲波导长度对耦合长度的影响 | 第27-28页 |
| 2.3.3 器件设计和器件性能 | 第28-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 基于硅基MMI耦合器和相移器的模式转换器件的研究 | 第34-58页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 基于耦合器和相移器的模式转换器件的工作原理 | 第34-37页 |
| 3.3 基于硅基MMI的一阶模模式转换器 | 第37-41页 |
| 3.3.1 器件原理和设计 | 第37-39页 |
| 3.3.2 器件性能分析 | 第39-41页 |
| 3.4 基于硅基MMI的二阶模模式转换器 | 第41-55页 |
| 3.4.1 基于66%模式转换MMI与相移器的二阶模模式转换器件 | 第41-52页 |
| 3.4.2 基于硅基MMI中心注入的二阶模模式转换器件 | 第52-55页 |
| 3.5 测试平台搭建及测试结果分析 | 第55-57页 |
| 3.5.1 工艺制作 | 第55-56页 |
| 3.5.2 测试结果分析 | 第56-57页 |
| 3.6 本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 多模干涉耦合器的边界研究 | 第58-68页 |
| 4.1 引言 | 第58页 |
| 4.2 多模干涉耦合器的理论基础 | 第58-62页 |
| 4.3 边界为sin形状的MMI的研究 | 第62-67页 |
| 4.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 第五章 总结与展望 | 第68-70页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第68-69页 |
| 5.2 工作展望 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-76页 |
| 缩写词索引 | 第76-78页 |
| 攻读硕士学位期间论文发表情况 | 第78页 |
