| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 非易失性存储器的发展历程 | 第10-12页 |
| 1.2.1 传统非易失性存储器 | 第10-11页 |
| 1.2.2 新型非易失性存储器 | 第11-12页 |
| 1.3 阻变开关的研究现状 | 第12-13页 |
| 1.4 阻变开关器件阻变行为的分类和机理 | 第13-15页 |
| 1.4.1 阻变开关器件阻变行为的分类 | 第13-14页 |
| 1.4.2 阻变开关器件阻变机理的分类 | 第14-15页 |
| 1.5 In Ga ZnO多元金属氧化物的介绍 | 第15-16页 |
| 1.6 本文研究的意义、目的和主要内容 | 第16-18页 |
| 第二章 薄膜阻变开关的制备与表征 | 第18-29页 |
| 2.1 薄膜沉积原理 | 第18-21页 |
| 2.1.1 射频溅射 | 第18-19页 |
| 2.1.2 磁控溅射 | 第19-20页 |
| 2.1.3 真空蒸发镀膜法 | 第20-21页 |
| 2.2 ZnO基多元金属氧化物阻变开关的制备 | 第21-25页 |
| 2.2.1 ZnO基多元金属氧化物阻变开关的结构 | 第21页 |
| 2.2.2 实验设备和原材料 | 第21-22页 |
| 2.2.3 靶材的制备 | 第22-23页 |
| 2.2.4 衬底的处理 | 第23-24页 |
| 2.2.5 ZnO基多元金属氧化物薄膜的制备 | 第24-25页 |
| 2.2.6 顶电极的制备 | 第25页 |
| 2.3 ZnO基多元金属氧化物薄膜和器件的表征与测试[38] | 第25-28页 |
| 2.3.1 X射线衍射 | 第25-26页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜 | 第26页 |
| 2.3.3 X射线光电子能谱 | 第26-27页 |
| 2.3.4 阻变开关电学性能参数 | 第27-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 IGZO薄膜的阻变特性研究 | 第29-51页 |
| 3.1 IGZO薄膜的结构分析 | 第29-31页 |
| 3.2 IGZO薄膜成分分析 | 第31-33页 |
| 3.3 IGZO薄膜的阻变行为 | 第33-38页 |
| 3.4 衬底材料对IGZO薄膜阻变特性的影响 | 第38-40页 |
| 3.5 顶电极材料对IGZO薄膜阻变特性的影响 | 第40-42页 |
| 3.6 衬底温度对IGZO薄膜阻变特性的影响研究 | 第42-47页 |
| 3.7 薄膜厚度对IGZO薄膜阻变特性的影响研究 | 第47-48页 |
| 3.8 氩氧比对IGZO薄膜阻变特性的影响研究 | 第48-49页 |
| 3.9 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 嵌入层对IGZO阻变开关性能的影响 | 第51-59页 |
| 4.1 嵌入层对IGZO薄膜阻变器件性能的影响 | 第51页 |
| 4.2 Cu/Ga_2O_3/IGZO/AZO双介质层阻变开关的研究 | 第51-52页 |
| 4.3 Cu/CuO/IGZO/AZO双介质层阻变开关的研究 | 第52-57页 |
| 4.4 Cu/CuO/Ga_2O_3/IGZO/AZO多介质层阻变开关的研究 | 第57-58页 |
| 4.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 CGZO薄膜阻变特性的研究 | 第59-69页 |
| 5.1 金属氧化物阻变薄膜的阻变性能研究 | 第59-61页 |
| 5.1.1 Ga_2O_3薄膜阻变性能研究 | 第59-60页 |
| 5.1.2 ZnO薄膜阻变性能研究 | 第60-61页 |
| 5.2 CuGaZn O多元金属氧化物阻变器件性能的研究 | 第61-66页 |
| 5.2.1 Cu/CGZO/AZO介质层阻变开关器件结构及成分研究 | 第61-63页 |
| 5.2.2 衬底温度对Cu/CGZO/AZO介质层阻变开关性能影响研究 | 第63-65页 |
| 5.2.3 制备气氛对Cu/CGZO/AZO介质层阻变开关性能影响研究 | 第65-66页 |
| 5.3 在柔性聚酰亚胺衬底上制备CGZO阻变开关 | 第66-68页 |
| 5.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 第六章 结论 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 攻硕期间取得的成果 | 第75-76页 |
