| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-27页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 掺氮UNCD薄膜的研究现状 | 第11-22页 |
| 1.2.1 UNCD薄膜的发展 | 第11-12页 |
| 1.2.2 MPCVD法制备UNCD薄膜的生长机理 | 第12-16页 |
| 1.2.3 UNCD薄膜的掺杂（掺氮） | 第16-18页 |
| 1.2.4 掺氮UNCD薄膜的性能 | 第18-21页 |
| 1.2.5 生长掺氮UNCD薄膜的影响因素 | 第21-22页 |
| 1.3 论文的研究意义和主要研究内容及方法 | 第22-27页 |
| 1.3.1 研究意义 | 第22-26页 |
| 1.3.2 研究的主要内容和方法 | 第26-27页 |
| 2 阴极制备装置与性能检测技术 | 第27-36页 |
| 2.1 MPCVD沉积装置 | 第27-29页 |
| 2.2 掺氮UNCD薄膜的表征方法 | 第29-32页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜 | 第29页 |
| 2.2.2 多波长拉曼光谱分析 | 第29-30页 |
| 2.2.3 电学性能测试 | 第30-31页 |
| 2.2.4 X射线光电子能谱 | 第31页 |
| 2.2.5 X射线衍射仪 | 第31-32页 |
| 2.3 MOCVD沉积装置 | 第32-34页 |
| 2.4 直流场发射性能测试平台 | 第34页 |
| 2.5 强流脉冲发射性能测试平台 | 第34-36页 |
| 3 掺氮UNCD薄膜的制备工艺及直流场发射性能研究 | 第36-53页 |
| 3.1 液态氮源组成对制备的金刚石薄膜质量的影响 | 第36-39页 |
| 3.2 液态氮源通入量对制备的掺氮UNCD薄膜质量的影响 | 第39-42页 |
| 3.3 生长温度对掺氮UNCD薄膜质量的影响 | 第42-51页 |
| 3.4 掺氮UNCD薄膜直流场发射性能 | 第51-53页 |
| 4 石墨表面金属过渡层钨膜的制备工艺研究 | 第53-58页 |
| 4.1 沉积温度对过渡层钨膜的影响 | 第53-55页 |
| 4.2 退火温度对过渡层钨膜的影响 | 第55-58页 |
| 5 掺氮UNCD涂覆石墨阴极的制备及强流脉冲发射特性研究 | 第58-68页 |
| 5.1 掺氮UNCD涂覆石墨阴极的制备 | 第58-61页 |
| 5.1.1 环形石墨阴极预处理 | 第58页 |
| 5.1.2 金属过渡层钨膜的生长 | 第58-59页 |
| 5.1.3 掺氮超纳米金刚石的涂覆 | 第59-61页 |
| 5.2 掺氮UNCD涂层改性石墨阴极强流脉冲发射特性研究 | 第61-68页 |
| 5.2.1 掺氮UNCD涂层改性石墨阴极强流脉冲发射性能 | 第61-63页 |
| 5.2.2 掺氮UNCD涂层改性石墨阴极强流脉冲发射机理探究 | 第63-68页 |
| 结论 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-78页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第78页 |
