| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-16页 |
| 1.2.1 Al/CuO含能复合薄膜 | 第11-14页 |
| 1.2.2 肖特基结薄膜的研究 | 第14-16页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第16-17页 |
| 2 Al/CuO复合薄膜的制备和表征 | 第17-23页 |
| 2.1 磁控溅射原理 | 第17-18页 |
| 2.2 实验设备、材料以及工艺条件 | 第18页 |
| 2.3 薄膜微观结构表征 | 第18-20页 |
| 2.4 CuO薄膜的半导体特性 | 第20-22页 |
| 2.5 本章小结 | 第22-23页 |
| 3 S-Al/CuO-Ⅰ换能元的设计、制备与电爆性能 | 第23-44页 |
| 3.0 S-Al/CuO-Ⅰ芯片设计 | 第23页 |
| 3.1 S-Al/CuO-Ⅰ芯片制备 | 第23-25页 |
| 3.2 S-Al/CuO-Ⅰ换能元制备 | 第25-26页 |
| 3.3 S-Al/CuO-Ⅰ换能元安全性表征 | 第26-32页 |
| 3.3.1 S-Al/CuO-Ⅰ换能元电击穿实验 | 第26-29页 |
| 3.3.2 S-Al/CuO-Ⅰ换能元安全电流实验 | 第29-32页 |
| 3.4 S-Al/CuO-Ⅰ换能元电爆换能规律 | 第32-42页 |
| 3.4.1 S-Al/CuO-Ⅰ换能元电爆性能 | 第32-35页 |
| 3.4.2 双谱线测温和高速摄影 | 第35-40页 |
| 3.4.3 连续电爆特性 | 第40-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-44页 |
| 4 S-Al/CuO-Ⅱ换能元的设计、制备与电爆性能 | 第44-57页 |
| 4.1 S-Al/CuO-Ⅱ芯片设计 | 第44-45页 |
| 4.2 S-Al/CuO-Ⅱ芯片制备 | 第45页 |
| 4.3 S-Al/CuO-Ⅱ换能元安全性能表征 | 第45-48页 |
| 4.3.1 S-Al/CuO-Ⅱ换能元电击穿实验 | 第45-46页 |
| 4.3.2 S-Al/CuO-Ⅱ换能元安全电流实验 | 第46-48页 |
| 4.4 S-Al/CuO-Ⅱ换能元电爆换能规律 | 第48-53页 |
| 4.4.1 S-Al/CuO-Ⅱ换能元电爆性能 | 第48-50页 |
| 4.4.2 双谱线测温和高速摄影 | 第50-53页 |
| 4.5 S-Al/CuO-Ⅱ换能元的电爆数理模型 | 第53-56页 |
| 4.6 本章小结 | 第56-57页 |
| 5 S-Al/CuO-Ⅲ换能元的设计、制备与电爆性能 | 第57-65页 |
| 5.1 S-Al/CuO-Ⅲ芯片设计 | 第57页 |
| 5.2 S-Al/CuO-Ⅲ芯片制备 | 第57-58页 |
| 5.3 S-Al/CuO-Ⅲ安全性能表征 | 第58-59页 |
| 5.3.1 S-Al/CuO-Ⅲ换能元击穿电压实验 | 第58-59页 |
| 5.3.2 S-Al/CuO-Ⅲ换能元安全电流实验 | 第59页 |
| 5.4 S-Al/CuO-Ⅲ换能元电爆换能规律 | 第59-63页 |
| 5.4.1 S-Al/CuO-Ⅲ换能元电爆性能 | 第59-60页 |
| 5.4.2 双谱线测温和高速摄影 | 第60-63页 |
| 5.6 本章小结 | 第63-65页 |
| 6 结论与展望 | 第65-67页 |
| 6.1 结论 | 第65页 |
| 6.2 创新点 | 第65-66页 |
| 6.3 展望 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 附录 | 第71页 |
