摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第12-16页 |
1.1 研究背景与意义 | 第12-14页 |
1.2 研究目的与内容 | 第14-16页 |
第二章 文献综述 | 第16-50页 |
2.1 引言 | 第16-17页 |
2.2 太阳电池的原理及其制备 | 第17-23页 |
2.2.1 太阳电池的工作原理 | 第17-21页 |
2.2.2 太阳电池的制备过程 | 第21-23页 |
2.3 晶体硅太阳电池的光致效率衰减现象 | 第23-37页 |
2.3.1 光致衰减现象的起因-硼氧复合体 | 第24-28页 |
2.3.2 硼氧复合体理论模型Ⅰ-B_iO_i | 第28-29页 |
2.3.3 硼氧复合体理论模型Ⅱ-B_sO_(2i) | 第29-34页 |
2.3.4 硼氧复合体理论模型Ⅲ-B_iO_(2i) | 第34-37页 |
2.4 硼氧复合体的第三态回复 | 第37-45页 |
2.4.1 三态模型 | 第37-39页 |
2.4.2 补偿度对第三态的影响 | 第39-41页 |
2.4.3 氧浓度对第三态的影响 | 第41-42页 |
2.4.4 热处理对第三态的影响 | 第42-44页 |
2.4.5 抑制光衰减的途径 | 第44-45页 |
2.5 常见杂质原子在硅中的性质及行为 | 第45-48页 |
2.5.1 氧原子 | 第45-47页 |
2.5.2 硅的同族杂质Ge和Sn | 第47-48页 |
2.6 目前存在的一些问题 | 第48-50页 |
第三章 实验样品与研究方法 | 第50-56页 |
3.1 实验样品 | 第50-51页 |
3.1.1 直拉硅单晶的生长 | 第50页 |
3.1.2 样品制备 | 第50-51页 |
3.2 研究方法及测试设备 | 第51-56页 |
3.2.1 微波光电导衰减仪(MW-PCD) | 第51-52页 |
3.2.2 准稳态光电导仪(QSSPC) | 第52-53页 |
3.2.3 傅里叶变换红外光谱仪(FTIR) | 第53-56页 |
第四章 晶体硅中的光衰减及第三态回复 | 第56-68页 |
4.1 引言 | 第56-57页 |
4.2 实验 | 第57-59页 |
4.2.1 样品制备 | 第57页 |
4.2.2 样品中硼、磷及氧浓度的测量 | 第57-58页 |
4.2.3 样品中氧浓度的测量 | 第58页 |
4.2.4 晶体硅载流子寿命的测量 | 第58页 |
4.2.5 光衰减测试 | 第58-59页 |
4.2.6 第三态回复测试 | 第59页 |
4.3 光衰减的研究 | 第59-60页 |
4.4 第三态回复测试 | 第60-64页 |
4.5 第三态到第二态的转变 | 第64-66页 |
4.6 本章小结 | 第66-68页 |
第五章 掺锗浓度对直拉单晶硅中硼氧复合体的影响 | 第68-76页 |
5.1 引言 | 第68页 |
5.2 实验 | 第68-70页 |
5.2.1 样品制备 | 第68-69页 |
5.2.2 样品中硼、氧浓度及双氧浓度的测量 | 第69页 |
5.2.3 样品中锗浓度的测量 | 第69页 |
5.2.4 晶体硅载流子寿命的测量 | 第69页 |
5.2.5 光衰减测试 | 第69-70页 |
5.3 掺锗浓度对硼氧复合体生成过程的影响 | 第70页 |
5.4 掺锗浓度对硼氧复合体饱和浓度影响的研究 | 第70-72页 |
5.5 掺锗浓度对双氧浓度的研究 | 第72-74页 |
5.6 高掺锗硅片光照下的反常行为 | 第74页 |
5.7 本章小结 | 第74-76页 |
第六章 氢浓度对硼氧复合体生成和消除的影响 | 第76-84页 |
6.1 引言 | 第76页 |
6.2 实验 | 第76-78页 |
6.2.1 样品制备 | 第76-77页 |
6.2.2 热处理 | 第77页 |
6.2.3 样品中锗浓度和少子寿命的测量 | 第77页 |
6.2.4 光衰减测试 | 第77-78页 |
6.3 氢浓度对光衰减过程的影响 | 第78-79页 |
6.4 氢浓度对硼氧复合体消除过程的影响 | 第79-83页 |
6.5 本章小结 | 第83-84页 |
第七章 总结 | 第84-86页 |
7.1 结论 | 第84-85页 |
7.2 展望 | 第85-86页 |
参考文献 | 第86-94页 |
致谢 | 第94-96页 |
个人简介 | 第96-98页 |
攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第98页 |