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晶体硅中光衰减缺陷及其再生态的研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第一章 绪论第12-16页
    1.1 研究背景与意义第12-14页
    1.2 研究目的与内容第14-16页
第二章 文献综述第16-50页
    2.1 引言第16-17页
    2.2 太阳电池的原理及其制备第17-23页
        2.2.1 太阳电池的工作原理第17-21页
        2.2.2 太阳电池的制备过程第21-23页
    2.3 晶体硅太阳电池的光致效率衰减现象第23-37页
        2.3.1 光致衰减现象的起因-硼氧复合体第24-28页
        2.3.2 硼氧复合体理论模型Ⅰ-B_iO_i第28-29页
        2.3.3 硼氧复合体理论模型Ⅱ-B_sO_(2i)第29-34页
        2.3.4 硼氧复合体理论模型Ⅲ-B_iO_(2i)第34-37页
    2.4 硼氧复合体的第三态回复第37-45页
        2.4.1 三态模型第37-39页
        2.4.2 补偿度对第三态的影响第39-41页
        2.4.3 氧浓度对第三态的影响第41-42页
        2.4.4 热处理对第三态的影响第42-44页
        2.4.5 抑制光衰减的途径第44-45页
    2.5 常见杂质原子在硅中的性质及行为第45-48页
        2.5.1 氧原子第45-47页
        2.5.2 硅的同族杂质Ge和Sn第47-48页
    2.6 目前存在的一些问题第48-50页
第三章 实验样品与研究方法第50-56页
    3.1 实验样品第50-51页
        3.1.1 直拉硅单晶的生长第50页
        3.1.2 样品制备第50-51页
    3.2 研究方法及测试设备第51-56页
        3.2.1 微波光电导衰减仪(MW-PCD)第51-52页
        3.2.2 准稳态光电导仪(QSSPC)第52-53页
        3.2.3 傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)第53-56页
第四章 晶体硅中的光衰减及第三态回复第56-68页
    4.1 引言第56-57页
    4.2 实验第57-59页
        4.2.1 样品制备第57页
        4.2.2 样品中硼、磷及氧浓度的测量第57-58页
        4.2.3 样品中氧浓度的测量第58页
        4.2.4 晶体硅载流子寿命的测量第58页
        4.2.5 光衰减测试第58-59页
        4.2.6 第三态回复测试第59页
    4.3 光衰减的研究第59-60页
    4.4 第三态回复测试第60-64页
    4.5 第三态到第二态的转变第64-66页
    4.6 本章小结第66-68页
第五章 掺锗浓度对直拉单晶硅中硼氧复合体的影响第68-76页
    5.1 引言第68页
    5.2 实验第68-70页
        5.2.1 样品制备第68-69页
        5.2.2 样品中硼、氧浓度及双氧浓度的测量第69页
        5.2.3 样品中锗浓度的测量第69页
        5.2.4 晶体硅载流子寿命的测量第69页
        5.2.5 光衰减测试第69-70页
    5.3 掺锗浓度对硼氧复合体生成过程的影响第70页
    5.4 掺锗浓度对硼氧复合体饱和浓度影响的研究第70-72页
    5.5 掺锗浓度对双氧浓度的研究第72-74页
    5.6 高掺锗硅片光照下的反常行为第74页
    5.7 本章小结第74-76页
第六章 氢浓度对硼氧复合体生成和消除的影响第76-84页
    6.1 引言第76页
    6.2 实验第76-78页
        6.2.1 样品制备第76-77页
        6.2.2 热处理第77页
        6.2.3 样品中锗浓度和少子寿命的测量第77页
        6.2.4 光衰减测试第77-78页
    6.3 氢浓度对光衰减过程的影响第78-79页
    6.4 氢浓度对硼氧复合体消除过程的影响第79-83页
    6.5 本章小结第83-84页
第七章 总结第84-86页
    7.1 结论第84-85页
    7.2 展望第85-86页
参考文献第86-94页
致谢第94-96页
个人简介第96-98页
攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果第98页

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