| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-38页 |
| 1.1 拓扑材料研究背景 | 第11-21页 |
| 1.1.1 拓扑绝缘体概念的产生 | 第13-14页 |
| 1.1.2 二维拓扑绝缘体理论预言和实现 | 第14-16页 |
| 1.1.3 拓扑半金属概念的引入 | 第16-17页 |
| 1.1.4 拓扑狄拉克/外尔半金属 | 第17-21页 |
| 1.2 单晶拓扑材料的研究进展 | 第21-27页 |
| 1.2.1 三维拓扑绝缘体的实现与发展 | 第21-23页 |
| 1.2.2 ARPES在拓扑绝缘体研究中的应用 | 第23-24页 |
| 1.2.3 三维狄拉克费米子在单晶材料中的实现 | 第24-25页 |
| 1.2.4 三维外尔费米子在单晶材料中的实现 | 第25-27页 |
| 1.3 高温超导材料研究背景 | 第27-36页 |
| 1.3.1 常规超导简介 | 第27-30页 |
| 1.3.2 铜基超导简介 | 第30-32页 |
| 1.3.3 铁基超导简介 | 第32-35页 |
| 1.3.4 BaFe_2As_2-122铁基超导体系 | 第35-36页 |
| 1.4 本章小结 | 第36-38页 |
| 第二章 实验技术与原理 | 第38-50页 |
| 2.1 光电子能谱基本原理 | 第38-40页 |
| 2.2 同步辐射ARPES | 第40-48页 |
| 2.2.1 自旋分辨ARPES | 第47-48页 |
| 2.3 理论计算方法简介 | 第48-49页 |
| 2.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第三章 相变临界点材料SrSn_2As_2的电子结构研究 | 第50-64页 |
| 3.1 拓扑相变临界点材料 | 第50-52页 |
| 3.2 SrSn_2As_2电子结构ARPES研究 | 第52-62页 |
| 3.2.1 实验方法 | 第52-53页 |
| 3.2.2 SrSn_2As_2晶体结构 | 第53页 |
| 3.2.3 SrSn_2As_2理论计算能带 | 第53-54页 |
| 3.2.4 SrSn_2As_2能带结构ARPES测量 | 第54-58页 |
| 3.2.5 SrSn_2As_2体态能带反转结构 | 第58-62页 |
| 3.3 本章小结 | 第62-64页 |
| 第四章 反铁磁拓扑材料EuCd_2As_2中的关联效应研究 | 第64-78页 |
| 4.1 反铁磁拓扑狄拉克半金属 | 第64-66页 |
| 4.2 EuCd_2As_2电子结构和关联效应研究 | 第66-77页 |
| 4.2.1 实验方法 | 第67页 |
| 4.2.2 EuCd_2As_2晶体结构和输运性质 | 第67-70页 |
| 4.2.3 EuCd_2As_2电子结构ARPES研究 | 第70-71页 |
| 4.2.4 EuCd_2As_2能带结构理论计算 | 第71-75页 |
| 4.2.5 EuCd_2As_2中的电子关联效应 | 第75-77页 |
| 4.3 本章小结 | 第77-78页 |
| 第五章 Ba_2Ti_2Fe_2As_4O极化子态与超导共存的研究 | 第78-90页 |
| 5.1 Ba_2Ti_2Fe_2As_4O层状铁基超导材料 | 第78-82页 |
| 5.1.1 Ba_2Ti_2Fe_2As_4O晶体结构和电阻率异常 | 第78-80页 |
| 5.1.2 Ba_2Ti_2Fe_2As_4O层间自掺杂效应 | 第80-82页 |
| 5.2 Ba_2Ti_2Fe_2As_4O低温电子结构研究 | 第82-88页 |
| 5.2.1 实验方法 | 第82页 |
| 5.2.2 Ba_2Ti_2Fe_2As_4O低温能带和极化子态 | 第82-85页 |
| 5.2.3 Ba_2Ti_2Fe_2As_4O中的超导能隙 | 第85-88页 |
| 5.3 本章小结 | 第88-90页 |
| 第六章 总结与展望 | 第90-92页 |
| 参考文献 | 第92-102页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第102-104页 |
| 致谢 | 第104页 |
