| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-17页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第12-13页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第14-15页 |
| 1.4 论文内容安排 | 第15-17页 |
| 第2章 FDTD原理 | 第17-33页 |
| 2.1 麦克斯韦方程组基本概念 | 第17-18页 |
| 2.2 Yee元胞 | 第18-24页 |
| 2.3 数值稳定性与色散问题 | 第24-30页 |
| 2.3.1 Courant稳定性条件 | 第25-27页 |
| 2.3.2 数值的色散性分析 | 第27-30页 |
| 2.4 激励源的设置 | 第30-32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 第3章 吸收边界条件 | 第33-49页 |
| 3.1 Mur吸收边界条件 | 第35-40页 |
| 3.1.1 一维情况 | 第35-37页 |
| 3.1.2 二维与三维情况 | 第37-40页 |
| 3.2 完全匹配层PML | 第40-48页 |
| 3.2.1 二维情况下的PML层 | 第40-44页 |
| 3.2.2 三维情况下的PML层 | 第44-47页 |
| 3.2.3 PML层数设置 | 第47-48页 |
| 3.3 本章小结 | 第48-49页 |
| 第4章 XFDTD中仿真设置 | 第49-56页 |
| 4.1 XFDTD软件介绍 | 第49-50页 |
| 4.2 XFDTD计算模型建立 | 第50-51页 |
| 4.3 网格设置 | 第51-53页 |
| 4.4 PML吸收边界的设置 | 第53-54页 |
| 4.5 激励源设置 | 第54-55页 |
| 4.6 本章小结 | 第55-56页 |
| 第5章 贯通导体型箱体的电磁耦合分析 | 第56-84页 |
| 5.1 贯通开孔的形状对屏蔽机箱内场强的影响 | 第56-61页 |
| 5.1.1 正方形开孔 | 第57-58页 |
| 5.1.2 圆形开孔 | 第58-59页 |
| 5.1.3 纵横比不同的矩形开孔 | 第59-61页 |
| 5.2 贯通导体外露长度对屏蔽机箱内场强的影响 | 第61-63页 |
| 5.2.1 外露导体L=25mm | 第61-62页 |
| 5.2.2 外露导体L=50mm | 第62-63页 |
| 5.2.3 不同长度外露导体对比 | 第63页 |
| 5.3 贯通导体的半径对屏蔽机箱内场强的影响 | 第63-71页 |
| 5.3.1 贯通导体r=0.574mm | 第64-65页 |
| 5.3.2 贯通导体r=1.15mm | 第65-66页 |
| 5.3.3 贯通导体r=2.05mm | 第66-67页 |
| 5.3.4 贯通导体r=2.91mm | 第67-68页 |
| 5.3.5 贯通导体r=4.11mm | 第68-69页 |
| 5.3.6 不同贯通导体的对比 | 第69-71页 |
| 5.4 水平极化下，入射角度对屏蔽机箱内场强的影响 | 第71-76页 |
| 5.4.1 入射角度为 0° | 第71-72页 |
| 5.4.2 入射角度为 30° | 第72-73页 |
| 5.4.3 入射角度为 60° | 第73-74页 |
| 5.4.4 入射角度为 90° | 第74-75页 |
| 5.4.5 对比不同入射角度情况 | 第75-76页 |
| 5.5 观测点不同时屏蔽效果对比 | 第76-78页 |
| 5.5.1 观测点位置设置为（51,51,51） | 第76页 |
| 5.5.2 观测点位置设置为（51,51,81） | 第76-77页 |
| 5.5.3 观测点位置设置为（51,51, 100） | 第77-78页 |
| 5.5.4 不同观测点时域波形对比 | 第78页 |
| 5.6 不同的电磁脉冲对屏蔽箱体内场强的影响 | 第78-82页 |
| 5.6.1 入射电磁脉冲电场强度对机箱内场强的影响 | 第78-80页 |
| 5.6.2 入射电磁脉冲的脉宽对机箱内场强的影响 | 第80-82页 |
| 5.7 本章小结 | 第82-84页 |
| 结论 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-89页 |
| 致谢 | 第89-90页 |
| 攻读硕士期间发表（含录用）的学术论文 | 第90页 |
