摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
第1章 前言 | 第11-15页 |
第2章 理论基础和计算方法 | 第15-29页 |
2.1 分子轨道理论 | 第16-19页 |
2.1.1 闭壳层分子的 HFR 方程 | 第16-18页 |
2.1.2 开壳层分子的 HFR 方程 | 第18-19页 |
2.2 密度泛函理论(Density Functional Theory, DFT) | 第19-21页 |
2.3 电子相关问题 | 第21-24页 |
2.3.1 电子相关能 | 第21-22页 |
2.3.2 组态相互作用(Configuration interaction, CI) | 第22-23页 |
2.3.3 耦合簇方法(Coupled-cluster, CC) | 第23-24页 |
2.4 振动频率的计算 | 第24-26页 |
2.5 内禀反应坐标理论 | 第26-29页 |
第3章 新型 14 族低价化合物的理论研究 | 第29-63页 |
3.1 三配位硅卡宾的理论研究 | 第29-49页 |
3.1.1 引言 | 第29-32页 |
3.1.2 计算方法 | 第32-33页 |
3.1.3 结果和讨论 | 第33-42页 |
3.1.3.1 低能结构 | 第33-40页 |
3.1.3.2 三配位硅卡宾 1 的性质 | 第40-42页 |
3.1.4 结论 | 第42-49页 |
3.2 三配位高周期卡宾类似物的理论研究 | 第49-63页 |
3.2.1 引言 | 第49-51页 |
3.2.2 计算方法 | 第51-52页 |
3.2.3 结果和讨论 | 第52-60页 |
3.2.3.1 设计策略和低能结构 | 第52-59页 |
3.2.3.2 1 号结构的性质 | 第59-60页 |
3.2.4 结论 | 第60-63页 |
第4章 新型 14 族多重键化合物的理论研究 | 第63-89页 |
4.1 NHC~(tBu)稳定化的 14 族多重键的理论研究 | 第63-80页 |
4.1.1 引言 | 第63-64页 |
4.1.2 计算方法 | 第64-65页 |
4.1.3 结果和讨论 | 第65-76页 |
4.1.3.1 NHC~(tBu)→C=SiR_2结构及稳定性 | 第65-74页 |
4.1.3.2 EDA 分析 | 第74-76页 |
4.1.4 结论 | 第76-80页 |
4.2 路易斯酸碱对稳定化的 E≡C (E=Si, Ge, Sn, Pb)三键的理论研究 | 第80-89页 |
4.2.1 引言 | 第80页 |
4.2.2 计算方法 | 第80-81页 |
4.2.3 结果和讨论 | 第81-87页 |
4.2.3.1 路易斯酸碱对的确定 | 第81页 |
4.2.3.2 Al(C_6F_5)3←E≡C←NHCAr结构和稳定性 | 第81-87页 |
4.2.4 结论 | 第87-89页 |
第5章 新型 14 族平面四配位化合物的理论研究 | 第89-99页 |
5.1 引言 | 第89-90页 |
5.2 计算方法 | 第90-93页 |
5.3 结果和讨论 | 第93-98页 |
5.3.1 ptSi 作为高能结构 | 第93页 |
5.3.2 ptSi 作为全局极小结构 | 第93-97页 |
5.3.3 研究意义 | 第97-98页 |
5.4 结论 | 第98-99页 |
参考文献 | 第99-123页 |
作者简介 | 第123-125页 |
攻读博士学位期间发表及完成的论文 | 第125-127页 |
致谢 | 第127-128页 |