摘要 | 第6-7页 |
Abstract | 第7页 |
第一章 绪论 | 第8-25页 |
1.1 烷脱氢反应的研究意义 | 第8页 |
1.2 CO_2气氛下乙烷脱氢反应催化剂的研究进展 | 第8-13页 |
1.2.1 CO_2气氛下乙烷脱氢反应催化剂体系 | 第9-11页 |
1.2.1.1 简单金属氧化物催化剂 | 第9页 |
1.2.1.2 复合金属氧化物催化剂 | 第9-10页 |
1.2.1.3 负载型金属氧化物催化剂 | 第10-11页 |
1.2.2 Ga_2O_3系列催化剂 | 第11-13页 |
1.3 CO_2气氛下乙烷脱氢反应机理 | 第13-15页 |
1.3.1 氧化还原机理 | 第13-14页 |
1.3.2 反应耦合机理 | 第14-15页 |
1.4 催化剂的积碳行为与再生研究 | 第15-16页 |
1.4.1 催化剂的积碳行为 | 第15-16页 |
1.4.2 碱性金属的修饰作用 | 第16页 |
1.4.3 催化剂的再生 | 第16页 |
1.5 本论文的研究目的与工作内容 | 第16-18页 |
参考文献 | 第18-25页 |
第二章 实验部分 | 第25-30页 |
2.1 试剂与药品 | 第25-26页 |
2.2 催化剂的表征 | 第26-27页 |
2.2.1 X-射线荧光光谱(XRF) | 第26页 |
2.2.2 激光显微拉曼光谱(Laser Raman) | 第26页 |
2.2.3 X-射线粉末衍射(XRD) | 第26页 |
2.2.4 固体魔角旋转核磁共振谱(MAS R) | 第26-27页 |
2.2.5 氨气程序升温脱附(NH_3-TPD) | 第27页 |
2.2.6 X-射线光电子能谱(XPS) | 第27页 |
2.2.7 热重质谱联用(TG-MS) | 第27页 |
2.2.8 场发射透射电镜(TEM) | 第27页 |
2.3 催化反应的活性评价方法 | 第27-30页 |
2.3.1 催化反应评价系统装置 | 第28页 |
2.3.2 催化剂的活性测试 | 第28-30页 |
第三章 Ga_2O_3/HZSM-5催化剂在CO_2气氛下乙烷脱氢反应中的积碳行为与再生的研究 | 第30-44页 |
3.1 Ga_2O_3/HZSM-5催化剂上的积碳行为 | 第30-37页 |
3.1.1 引言 | 第30页 |
3.1.2 催化剂的制备 | 第30页 |
3.1.3 结果与讨论 | 第30-37页 |
3.1.3.1 催化剂的活性 | 第30-31页 |
3.1.3.2 催化剂的积碳行为 | 第31-35页 |
3.1.3.3 催化剂的酸性 | 第35-37页 |
3.2 Ga_2O_3/HZSM-5催化剂的再生 | 第37-41页 |
3.2.1 引言 | 第37页 |
3.2.2 催化剂的再生 | 第37页 |
3.2.3 结果与讨论 | 第37-41页 |
3.3 本章小结 | 第41-42页 |
参考文献 | 第42-44页 |
第四章 Ga_2O_3/HZSM-5催化剂的后修饰作用 | 第44-60页 |
4.1 MgO的修饰作用 | 第44-49页 |
4.1.1 引言 | 第44页 |
4.1.2 催化剂的制备 | 第44页 |
4.1.3 结果与讨论 | 第44-49页 |
4.1.3.1 催化剂的结构表征 | 第44-46页 |
4.1.3.2 催化剂的积碳行为与酸性 | 第46-47页 |
4.1.3.3 催化剂的活性 | 第47-49页 |
4.2 其他碱土与碱金属氧化物的修饰作用 | 第49-56页 |
4.2.1 引言 | 第49-50页 |
4.2.2 催化剂的制备 | 第50页 |
4.2.3 结果与讨论 | 第50-56页 |
4.2.3.1 催化剂的结构表征 | 第50-51页 |
4.2.3.2 催化剂的积碳行为与酸性 | 第51-53页 |
4.2.3.3 催化剂的活性 | 第53-56页 |
4.3 本章小结 | 第56-58页 |
参考文献 | 第58-60页 |
第五章 Ga_2O_3/HZSM-5催化剂的前修饰作用 | 第60-69页 |
5.1 骨架B的修饰作用 | 第60-66页 |
5.1.1 引言 | 第60页 |
5.1.2 催化剂的制备 | 第60-61页 |
5.1.3 结果与讨论 | 第61-66页 |
5.1.3.1 催化剂的结构表征 | 第61-62页 |
5.1.3.2 催化剂的积碳行为与酸性 | 第62-64页 |
5.1.3.3 催化剂的活性 | 第64-66页 |
5.2 本章小结 | 第66-67页 |
参考文献 | 第67-69页 |
第六章 总结与展望 | 第69-71页 |
6.1 总结 | 第69-70页 |
6.2 展望 | 第70-71页 |
论文发表情况 | 第71-72页 |
致谢 | 第72-73页 |