| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 金刚石的结构和性质 | 第10-12页 |
| 1.3 金刚石的制备方法 | 第12-15页 |
| 1.3.1 高温高压法 | 第12页 |
| 1.3.2 化学气相沉积法 | 第12-15页 |
| 1.4 金刚石表面微结构制备及性质 | 第15-18页 |
| 1.4.1 金刚石表面微结构制备 | 第15-17页 |
| 1.4.2 金刚石表面微结构的电化学性质 | 第17-18页 |
| 1.5 金刚石的应用 | 第18-21页 |
| 1.5.1 金刚石的电子器件应用 | 第18-20页 |
| 1.5.2 金刚石的电化学应用 | 第20-21页 |
| 1.6 课题主要研究内容 | 第21-22页 |
| 第2章 实验方法 | 第22-26页 |
| 2.1 实验原料 | 第22页 |
| 2.2 实验设备 | 第22-23页 |
| 2.3 材料结构表征 | 第23-24页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜（SEM） | 第23页 |
| 2.3.2 X射线衍射（XRD） | 第23-24页 |
| 2.3.3 拉曼光谱（Raman） | 第24页 |
| 2.3.4 X射线光电子谱（XPS） | 第24页 |
| 2.4 电化学性能测试 | 第24-26页 |
| 2.4.1 循环伏安法（CV） | 第24-25页 |
| 2.4.2 旋转圆盘电极法（RDE） | 第25-26页 |
| 第3章 硼掺杂金刚石薄膜的制备 | 第26-42页 |
| 3.1 金刚石薄膜的制备 | 第26-31页 |
| 3.1.1 基底预处理工艺对金刚石的影响 | 第26-27页 |
| 3.1.2 甲烷浓度对金刚石的影响 | 第27-29页 |
| 3.1.3 生长温度对金刚石的影响 | 第29-31页 |
| 3.2 以氨硼烷为硼源制备掺硼金刚石薄膜 | 第31-38页 |
| 3.2.1 氨硼烷的合成 | 第31-33页 |
| 3.2.2 加热蒸发法掺硼 | 第33-35页 |
| 3.2.3 氨硼烷溶于酒精中载气带入掺硼 | 第35-38页 |
| 3.3 以氧化硼为硼源制备掺硼金刚石薄膜 | 第38-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第4章 掺硼金刚石表面碳纳米片的生长与掺杂 | 第42-62页 |
| 4.1 碳纳米片的生长 | 第42-45页 |
| 4.1.1 温度对碳纳米片的影响 | 第42-43页 |
| 4.1.2 气压对碳纳米片的影响 | 第43-45页 |
| 4.2 碳纳米片的氮掺杂 | 第45-60页 |
| 4.2.1 氮气氛原位掺杂 | 第45-48页 |
| 4.2.2 氨气氛原位掺杂 | 第48-52页 |
| 4.2.3 氨气氛等离子体处理掺杂 | 第52-58页 |
| 4.2.4 氨气中高温处理掺杂 | 第58-60页 |
| 4.3 本章小结 | 第60-62页 |
| 第5章 掺硼金刚石表面掺氮碳纳米片的氧还原催化性能 | 第62-72页 |
| 5.1 掺硼金刚石薄膜的氧还原催化性能 | 第62-63页 |
| 5.2 氮气氛原位掺杂碳纳米片的氧还原催化性能 | 第63页 |
| 5.3 氨气氛原位掺杂碳纳米片的氧还原催化性能 | 第63-64页 |
| 5.4 氨气氛等离子体处理掺杂碳纳米片的氧还原催化性能 | 第64-67页 |
| 5.5 氨气中高温处理掺杂碳纳米片的氧还原催化性能 | 第67-70页 |
| 5.6 旋转圆盘电极测试 | 第70-71页 |
| 5.7 本章小结 | 第71-72页 |
| 结论 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
