| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-26页 |
| ·石墨烯的特性 | 第10-12页 |
| ·力学性质 | 第10-11页 |
| ·热学性质 | 第11页 |
| ·电学性质 | 第11-12页 |
| ·石墨烯的制备 | 第12-15页 |
| ·微机械分裂法(micromechanical cleavage) | 第12-13页 |
| ·热分解SiC法 | 第13页 |
| ·化学气相沉积法 | 第13-14页 |
| ·氧化石墨还原法 | 第14-15页 |
| ·石墨烯的应用 | 第15-17页 |
| ·石墨烯在纳电子器件方面的应用 | 第15页 |
| ·未来的计算机芯片材料:石墨烯取代硅 | 第15-16页 |
| ·新型传感器材料 | 第16页 |
| ·储氢,储锂 | 第16-17页 |
| ·国内外研究现状 | 第17-23页 |
| ·实验进展 | 第17-21页 |
| ·理论进展 | 第21-23页 |
| ·本文的主要研究内容和创新点 | 第23-26页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第24页 |
| ·本论文的创新点 | 第24-26页 |
| 第二章 理论及计算方法简介 | 第26-35页 |
| ·第一性原理 | 第26-27页 |
| ·密度泛函理论(DFT) | 第27-29页 |
| ·密度泛函理论发展 | 第27-28页 |
| ·密度泛函理论简介 | 第28-29页 |
| ·赝势 | 第29-31页 |
| ·相关计算程序简介 | 第31-35页 |
| ·GAUSSIAN03软件 | 第31-32页 |
| ·Materials Studio | 第32-33页 |
| ·VASP | 第33-35页 |
| 第三章 石墨烯电子结构性质的密度泛函理论研究 | 第35-42页 |
| ·引言 | 第35-36页 |
| ·计算细节 | 第36-37页 |
| ·结果与讨论 | 第37-41页 |
| ·小结 | 第41-42页 |
| 第四章 石墨烯量子点磁性和光谱性质的密度泛函理论研究 | 第42-60页 |
| ·引言 | 第42-44页 |
| ·模型和计算方法 | 第44-46页 |
| ·结果与讨论 | 第46-58页 |
| ·HOMO-LUMO的能隙与前线分子轨道 | 第46-49页 |
| ·磁性和自旋态密度 | 第49-52页 |
| ·对构型6c-1构型的一些讨论结果 | 第52-58页 |
| ·小结 | 第58-60页 |
| 第五章 石墨烯吸附H_2的密度泛函理论研究 | 第60-73页 |
| ·引言 | 第60-61页 |
| ·计算细节 | 第61页 |
| ·结果与讨论 | 第61-72页 |
| ·H_2在本征石墨烯表面的吸附 | 第62-64页 |
| ·H_2在掺杂的石墨烯表面的吸附 | 第64-72页 |
| ·小结 | 第72-73页 |
| 第六章 石墨烯储锂的密度泛函理论研究 | 第73-84页 |
| ·引言 | 第73-74页 |
| ·计算细节 | 第74页 |
| ·结果与讨论 | 第74-82页 |
| ·吸附形式与吸附能 | 第74-78页 |
| ·电子态密度 | 第78-80页 |
| ·Li+穿越石墨烯势垒 | 第80-82页 |
| ·小结 | 第82-84页 |
| 第七章 一组有前途的石墨烯半导体材料——卤代并五苯 | 第84-91页 |
| ·引言 | 第84页 |
| ·计算细节 | 第84-85页 |
| ·结果与讨论 | 第85-90页 |
| ·偶极矩和极化率 | 第86页 |
| ·前线分子轨道和HOMO-LUMO能隙 | 第86-87页 |
| ·电离势和亲和能 | 第87-88页 |
| ·重组能和电荷迁移率 | 第88-90页 |
| ·小结 | 第90-91页 |
| 第八章 总结与讨论 | 第91-93页 |
| ·主要结论 | 第91-92页 |
| ·展望 | 第92-93页 |
| 参考文献 | 第93-105页 |
| 攻读博士学位期间取得的科研成果 | 第105-106页 |
| 致谢 | 第106-107页 |
