| 第一章 绪论 | 第7-20页 |
| 1.1 引言 | 第7-8页 |
| 1.2 半导体激光器材料体系和结构类型简介 | 第8-10页 |
| 1.3 有关半导体量子阱激光器的理论分析 | 第10-12页 |
| 1.4 半导体量子阱激光器一维、二维及准三维模拟的发展 | 第12-14页 |
| 1.5 半导体量子阱激光器模拟的复杂性 | 第14-15页 |
| 1.6 本论文主要研究内容及创新工作 | 第15-17页 |
| 参考文献 | 第17-20页 |
| 第二章 量子阱激光器模拟的理论模型 | 第20-50页 |
| 2.1 电学方程 | 第20-26页 |
| 2.1.1 泊松方程 | 第20-21页 |
| 2.1.2 电子和空穴连续性方程 | 第21-22页 |
| 2.1.3 边界条件 | 第22-26页 |
| 2.2 光学方程 | 第26-29页 |
| 2.2.1 波动方程 | 第26-28页 |
| 2.2.2 光子速率方程 | 第28-29页 |
| 2.2.3 边界条件 | 第29页 |
| 2.3 热传导方程 | 第29-32页 |
| 2.3.1 热传导方程基本形式 | 第29-30页 |
| 2.3.2 热源 | 第30-31页 |
| 2.3.3 边界条件 | 第31-32页 |
| 2.4 耦合波方程 | 第32-36页 |
| 2.5 小信号调制响应 | 第36-38页 |
| 2.6 薛定谔方程在一维、二维及准三维模拟中的引入 | 第38-41页 |
| 2.7 其它与模拟相关的内容 | 第41-48页 |
| 2.7.1 几种非平衡载流子复合模型 | 第41-44页 |
| 2.7.2 载流子迁移率 | 第44-45页 |
| 2.7.3 半导体激光器的光束发散角 | 第45-46页 |
| 2.7.4 半导体激光器的效率 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 第三章 能带结构的理论分析 | 第50-78页 |
| 3.1 能带结构分析的基本方法 | 第51-53页 |
| 3.2 哈密顿矩阵 | 第53-63页 |
| 3.2.1 3×3 Luttinger-Kohn 哈密顿量 | 第53-55页 |
| 3.2.2 4×4 Luttinger-Kohn 哈密顿量 | 第55-57页 |
| 3.2.3 6×6 Luttinger-Kohn 哈密顿量 | 第57-60页 |
| 3.2.4 8×8 Luttinger-Kohn 哈密顿量 | 第60-62页 |
| 3.2.5 分析实例 | 第62-63页 |
| 3.3 包络函数近似与变分法 | 第63-66页 |
| 3.4 带边不连续性计算方法 | 第66-69页 |
| 3.5 与能带相关的一些参数 | 第69-76页 |
| 参考文献 | 第76-78页 |
| 第四章 数值求解技术 | 第78-96页 |
| 4.1 数值计算方法 | 第78-83页 |
| 4.1.1 有限差分方法 | 第78-80页 |
| 4.1.2 迭代法 | 第80-82页 |
| 4.1.3 QR 方法求矩阵的全部特征值 | 第82-83页 |
| 4.2 方程的离散形式 | 第83-92页 |
| 4.2.1 电学方程的离散形式 | 第83-89页 |
| 4.2.2 光学方程的离散形式 | 第89-90页 |
| 4.2.3 热学方程的离散形式 | 第90-92页 |
| 4.3 薛定谔方程的求解 | 第92-94页 |
| 4.3.1 方程离散形式 | 第92页 |
| 4.3.2 薛定谔方程的具体引入 | 第92-94页 |
| 4.4 方程自洽求解方法 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-96页 |
| 第五章 软件实现技术 | 第96-115页 |
| 5.1 器件结构编辑方法 | 第96-100页 |
| 5.2 核心计算模块程序设计 | 第100-110页 |
| 5.2.1 能带结构分析模块程序设计 | 第100-102页 |
| 5.2.2 横向分析模块程序设计 | 第102-104页 |
| 5.2.3 纵向分析模块程序设计 | 第104-107页 |
| 5.2.4 准三维分析模块程序设计 | 第107-110页 |
| 5.3 重要的编程技术 | 第110-115页 |
| 5.3.1 可视化语言编程 | 第110-113页 |
| 5.3.2 多线程技术 | 第113-115页 |
| 第六章 QWCAD 简介 | 第115-128页 |
| 6.1 QWCAD 概述 | 第115-116页 |
| 6.2 量子阱激光器波导分析模块 | 第116-117页 |
| 6.3 能带结构分析模块 | 第117-118页 |
| 6.4 能带不连续计算模块 | 第118-119页 |
| 6.5 横向一维分析模块 | 第119-121页 |
| 6.6 横向二维分析模块 | 第121-123页 |
| 6.7 纵向一维分析模块 | 第123-124页 |
| 6.8 准三维分析模块 | 第124-125页 |
| 6.9 多量子阱有源区优化设计系统 | 第125-127页 |
| 参考文献 | 第127-128页 |
| 第七章 模拟与优化设计实例 | 第128-143页 |
| 7.1 1.55μm发射波长In_(1-x-y)Ga_yAl_xAs 应变量子阱激光器有源区设计 | 第128-134页 |
| 7.1.1 阱宽与光增益 | 第128-132页 |
| 7.1.2 阱数、腔长与阈值电流、最高工作温度和张驰振荡频率的关系 | 第132-134页 |
| 7.2 InAs/GaAs/InP 及 InAs/InP 自组装量子点室温PL谱的理论研究 | 第134-136页 |
| 7.3 量子阱PS-DFB激光器纵模及小信号调制响应特性的分析 | 第136-139页 |
| 7.4 InGaAs/InGaAsP 量子阱激光器模拟 | 第139-142页 |
| 参考文献 | 第142-143页 |
| 结论 | 第143-145页 |
| 致谢 | 第145-146页 |
| 攻读博士学位期间获得的成果及发表的论文 | 第146-149页 |
| 摘要 | 第149-152页 |
| ABSTRACT | 第152页 |
