| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-28页 |
| 1.1 引言 | 第7页 |
| 1.2 薄膜晶体管 | 第7-12页 |
| 1.3 非晶氧化物薄膜晶体管的稳定性 | 第12-26页 |
| 1.3.1 光照 | 第13-15页 |
| 1.3.2 偏压 | 第15-22页 |
| 1.3.3 表面与环境的相互作用 | 第22-23页 |
| 1.3.4 偏压下的环境影响 | 第23-24页 |
| 1.3.5 钝化层 | 第24-26页 |
| 1.4 本论文的研究意义和研究内容 | 第26-28页 |
| 第二章 薄膜晶体管的制备及表征方法 | 第28-38页 |
| 2.1 射频磁控溅射 | 第28-30页 |
| 2.2 真空热蒸发 | 第30-31页 |
| 2.3 制备方法及器件结构 | 第31-33页 |
| 2.4 表征方法及原理 | 第33-38页 |
| 2.4.1 薄膜透射率 | 第33-34页 |
| 2.4.2 薄膜厚度 | 第34-35页 |
| 2.4.3 表面形貌 | 第35页 |
| 2.4.4 薄膜结晶性 | 第35-37页 |
| 2.4.5 薄膜晶体管的电学性能 | 第37-38页 |
| 第三章 沟道层氧分压对TFT稳定性的影响 | 第38-53页 |
| 3.1 引言 | 第38页 |
| 3.2 IZO薄膜的制备 | 第38页 |
| 3.3 氧分压不同的IZO膜的表征和分析 | 第38-42页 |
| 3.3.1 IZO膜的结晶性 | 第39页 |
| 3.3.2 IZO膜的表面形貌 | 第39-41页 |
| 3.3.3 IZO膜的光学特性 | 第41-42页 |
| 3.4 沟道层氧分压对IZO-TFT电学性能的影响 | 第42-46页 |
| 3.4.1 IZO-TFT的制备方法 | 第42-43页 |
| 3.4.2 IZO-TFT的电学性能分析 | 第43-46页 |
| 3.5 沟道层氧分压对IZO-TFT稳定性的影响 | 第46-51页 |
| 3.6 光照对TFT偏压稳定性的影响 | 第51-52页 |
| 3.7 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 沟道层厚度对TFT稳定性的影响 | 第53-63页 |
| 4.1 IZO-TFT的制备方法及实验参数 | 第53-54页 |
| 4.2 沟道层厚度对IZO-TFT偏压稳定性的影响 | 第54-61页 |
| 4.2.1 IZO-TFT电学性能分析 | 第54-55页 |
| 4.2.2 沟道层厚度对IZO-TFT偏压稳定性的影响 | 第55-58页 |
| 4.2.3 IZO-TFT关键电学参数分析及机理探究 | 第58-61页 |
| 4.3 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 全文总结 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-74页 |
| 附录 硕士生在读期间的科研成果 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
