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表面吸附对单层黑磷和单层二硫化钼电子结构影响的第一性原理研究

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第1章 绪言第10-14页
    1.1 MoS_2概述第10-11页
    1.2 黑磷概述第11-12页
    1.3 本论文的研究工作第12-14页
第2章 密度泛函理论第14-18页
    2.1 Born-Oppenheimer近似第14页
    2.2 Hohenberg-Kohn定理第14-15页
    2.3 Kohn-Sham方程第15-16页
    2.4 交换和关联相互作用第16-17页
    2.5 VASP简介第17-18页
第3章 挥发性有机化合物与纯净和缺陷Mo S_2的相互作用第18-27页
    3.1 计算方法第18页
    3.2 挥发性有机化合物吸附于纯净MoS_2的表面第18-22页
    3.3 挥发性有机化合物吸附于缺陷MoS_2的表面第22-26页
    3.4 本章小结第26-27页
第4章 挥发性有机化合物与金属功能化的缺陷Mo S_2的相互作用第27-36页
    4.1 挥发性有机化合物吸附于金属功能化的单 S 空位 MoS_2表面的电子结构性质第27-30页
    4.2 挥发性有机化合物吸附于金属功能化的双S空位MoS_2的表面第30-35页
    4.3 本章小结第35-36页
第5章 黑磷-碳纳米管异质结的第一性原理研究第36-42页
    5.1 黑磷-碳纳米管异质结的电子结构性质第36-38页
    5.2 掺杂的黑磷-碳纳米管异质结的电子结构和磁学性质第38-40页
    5.3 本章小结第40-42页
第6章 总结与展望第42-43页
参考文献第43-48页
致谢第48-49页
攻读硕士学位期间的研究成果第49页

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