| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 课题背景与意义 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第9-12页 |
| 1.2.1 单芯片集成IPM的介绍 | 第9页 |
| 1.2.2 单芯片集成IPM制造工艺平台的现状研究 | 第9-11页 |
| 1.2.3 高压厚膜SOI-LIGBT研究难点及现状 | 第11-12页 |
| 1.3 研究内容与设计指标 | 第12-13页 |
| 1.4 论文组织 | 第13-14页 |
| 第二章 高压厚膜SOI-LIGBT器件设计理论 | 第14-34页 |
| 2.1 SOI-LIGBT基本特性介绍 | 第14-16页 |
| 2.1.1 SOI-LIGBT的基本结构 | 第14-15页 |
| 2.1.2 SOI-LIGBT的工作原理 | 第15-16页 |
| 2.2 器件耐压设计理论 | 第16-25页 |
| 2.2.1 SOI-LIGBT的横向和纵向击穿理论 | 第16-18页 |
| 2.2.2 耐压与顶层硅及埋氧层的关系 | 第18-20页 |
| 2.2.3 耐应与P-body和N-buffer的关系 | 第20-22页 |
| 2.2.4 耐压与场板的关系 | 第22-25页 |
| 2.3 阈值电压设计理论 | 第25-28页 |
| 2.3.1 阈值与栅氧化层厚度的关系 | 第26-27页 |
| 2.3.2 阈值与发射极P阱的关系 | 第27-28页 |
| 2.4 电流密度设计理论 | 第28-30页 |
| 2.4.1 电流密度与顶层硅厚度的关系 | 第28-29页 |
| 2.4.2 电流密度与漂移区掺杂的关系 | 第29页 |
| 2.4.3 电流密度与集电极N-buffer的关系 | 第29-30页 |
| 2.5 开关特性设计理论 | 第30-33页 |
| 2.6 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 高压厚膜SOI-LIGBT的优化设计 | 第34-62页 |
| 3.1 厚膜SOI-LIGBT的高压互联设计 | 第34-41页 |
| 3.1.1 高压互联的耐压理论 | 第34-36页 |
| 3.1.2 几种传统高压互联屏蔽结构 | 第36-38页 |
| 3.1.3 新型复合型场板高压互联屏蔽结构 | 第38-41页 |
| 3.2 厚膜SOI-LIGBT的抗闩锁特性的设计 | 第41-47页 |
| 3.2.1 闩锁效应的理论分析 | 第41-42页 |
| 3.2.2 抗闩锁技术分析 | 第42-43页 |
| 3.2.3 新型抗闩锁结构设计 | 第43-47页 |
| 3.3 厚膜SOI-LIGBT电流密度的提升设计 | 第47-55页 |
| 3.3.1 传统SOI-LIGBT电流密度提升的方法 | 第47-49页 |
| 3.3.2 新型SOI-LIGBT电流密度提升的方法 | 第49-55页 |
| 3.4 厚膜SOI-LIGBT器件的结构设计与仿真 | 第55-59页 |
| 3.4.1 厚膜SOI-LIGBT器件的结构技术参数 | 第55-56页 |
| 3.4.2 厚膜SOI-LIGBT器件的仿真结果 | 第56-59页 |
| 3.5 本章小结 | 第59-62页 |
| 第四章 高压厚膜SOI-LIGBT的版图设计与测试 | 第62-74页 |
| 4.1 高压厚膜SOI-LIGBT工艺流程 | 第62-66页 |
| 4.2 高压厚膜SOI-LIGBT的版图设计 | 第66-67页 |
| 4.3 测试结果与分析 | 第67-72页 |
| 4.4 本章小结 | 第72-74页 |
| 第五章 总结和展望 | 第74-76页 |
| 5.1 总结 | 第74页 |
| 5.2 展望 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 硕士期间取得成果 | 第82页 |
