摘要 | 第5-7页 |
abstract | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第12-20页 |
1.1 研究背景以及选题意义 | 第12-16页 |
1.2 二氧化硅气凝胶薄膜的结构强化 | 第16-17页 |
1.3 二氧化硅气凝胶薄膜的疏水性处理 | 第17-18页 |
1.4 研究内容 | 第18-20页 |
第二章 SiO_2气凝胶薄膜的基本理论 | 第20-31页 |
2.1 溶胶凝胶法制备SiO_2气凝胶薄膜 | 第20-25页 |
2.1.1 制备原料 | 第20页 |
2.1.2 水解反应 | 第20-21页 |
2.1.3 缩聚反应 | 第21页 |
2.1.4 陈化处理 | 第21-22页 |
2.1.5 干燥 | 第22-25页 |
2.2 SiO_2气凝胶的基本特性 | 第25-27页 |
2.2.1 绝热特性 | 第26-27页 |
2.2.2 其他特性 | 第27页 |
2.3 SiO_2气凝胶的应用 | 第27-29页 |
2.3.1 热绝缘体 | 第27-28页 |
2.3.2 缓冲层 | 第28页 |
2.3.3 其他方面 | 第28-29页 |
2.4 研究意义和内容 | 第29页 |
2.5 本章小结 | 第29-31页 |
第三章 SiO_2气凝胶薄膜的制备工艺研究 | 第31-55页 |
3.1 引言 | 第31页 |
3.2 实验药品、器材和表征手段 | 第31-33页 |
3.3 SiO_2气凝胶薄膜制备过程 | 第33-35页 |
3.3.1 TEOS的水解反应 | 第34页 |
3.3.2 TEOS的缩聚反应 | 第34页 |
3.3.3 旋涂制膜 | 第34页 |
3.3.4 陈化、溶剂替换和表面改性 | 第34-35页 |
3.3.5 干燥 | 第35页 |
3.4 实验结果与讨论 | 第35-53页 |
3.4.1 薄膜制备的探索 | 第35-40页 |
3.4.2 N,N-二甲基甲酰胺(DMF)控制剂和NH_4F催化 | 第40-47页 |
3.4.3 仿真验证绝热效果 | 第47-50页 |
3.4.4 SiO_2气凝胶薄膜增厚 | 第50-51页 |
3.4.5 衬底材料对SiO_2气凝胶薄膜形貌的影响 | 第51-53页 |
3.5 本章小结 | 第53-55页 |
第四章 SiO_2气凝胶薄膜在热释电红外探测器中的应用 | 第55-78页 |
4.1 热释电红外探测器研究现状 | 第55-57页 |
4.1.1 热释电材料 | 第55-56页 |
4.1.2 探测器绝热结构 | 第56-57页 |
4.2 热释电红外探测器工作原理及性能 | 第57-59页 |
4.2.1 热释电红外探测器工作原理 | 第57-58页 |
4.2.2 热释电红外探测器的性能指标 | 第58-59页 |
4.3 热释电红外探测器单元器件 | 第59-71页 |
4.3.1 热释电红外探测器单元制备 | 第59-65页 |
4.3.2 热释电红外探测器单元的性能 | 第65-71页 |
4.4 热释电红外探测器阵列器件 | 第71-77页 |
4.4.1 热释电红外探测器阵列器件制备 | 第71-75页 |
4.4.2 热释电红外探测器阵列器件性能 | 第75-77页 |
4.5 本章小结 | 第77-78页 |
第五章 SiO_2气凝胶薄膜在阻变存储器中的应用 | 第78-109页 |
5.1 阻变存储器简介 | 第78-83页 |
5.1.1 阻变存储器结构 | 第79页 |
5.1.2 阻变存储器的I-V特性 | 第79-80页 |
5.1.3 阻变存储器的阻变机理 | 第80-83页 |
5.2 阻变存储器点阵器件的制备 | 第83-85页 |
5.3 测试与表征 | 第85-86页 |
5.4 实验结果与分析 | 第86-101页 |
5.4.1 形貌与微观结构 | 第86-89页 |
5.4.2 元素状态分析 | 第89-92页 |
5.4.3 电学特性分析 | 第92-99页 |
5.4.4 性能优势与微观模型 | 第99-101页 |
5.5 多级阻变现象 | 第101-107页 |
5.6 本章小结 | 第107-109页 |
第六章 全文总结与展望 | 第109-113页 |
6.1 全文总结 | 第109-110页 |
6.2 创新点 | 第110-111页 |
6.3 后续工作展望 | 第111-113页 |
致谢 | 第113-114页 |
参考文献 | 第114-133页 |
攻读博士学位期间取得的成果 | 第133-135页 |