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SiO2气凝胶薄膜的结构控制及应用研究

摘要第5-7页
abstract第7-8页
第一章 绪论第12-20页
    1.1 研究背景以及选题意义第12-16页
    1.2 二氧化硅气凝胶薄膜的结构强化第16-17页
    1.3 二氧化硅气凝胶薄膜的疏水性处理第17-18页
    1.4 研究内容第18-20页
第二章 SiO_2气凝胶薄膜的基本理论第20-31页
    2.1 溶胶凝胶法制备SiO_2气凝胶薄膜第20-25页
        2.1.1 制备原料第20页
        2.1.2 水解反应第20-21页
        2.1.3 缩聚反应第21页
        2.1.4 陈化处理第21-22页
        2.1.5 干燥第22-25页
    2.2 SiO_2气凝胶的基本特性第25-27页
        2.2.1 绝热特性第26-27页
        2.2.2 其他特性第27页
    2.3 SiO_2气凝胶的应用第27-29页
        2.3.1 热绝缘体第27-28页
        2.3.2 缓冲层第28页
        2.3.3 其他方面第28-29页
    2.4 研究意义和内容第29页
    2.5 本章小结第29-31页
第三章 SiO_2气凝胶薄膜的制备工艺研究第31-55页
    3.1 引言第31页
    3.2 实验药品、器材和表征手段第31-33页
    3.3 SiO_2气凝胶薄膜制备过程第33-35页
        3.3.1 TEOS的水解反应第34页
        3.3.2 TEOS的缩聚反应第34页
        3.3.3 旋涂制膜第34页
        3.3.4 陈化、溶剂替换和表面改性第34-35页
        3.3.5 干燥第35页
    3.4 实验结果与讨论第35-53页
        3.4.1 薄膜制备的探索第35-40页
        3.4.2 N,N-二甲基甲酰胺(DMF)控制剂和NH_4F催化第40-47页
        3.4.3 仿真验证绝热效果第47-50页
        3.4.4 SiO_2气凝胶薄膜增厚第50-51页
        3.4.5 衬底材料对SiO_2气凝胶薄膜形貌的影响第51-53页
    3.5 本章小结第53-55页
第四章 SiO_2气凝胶薄膜在热释电红外探测器中的应用第55-78页
    4.1 热释电红外探测器研究现状第55-57页
        4.1.1 热释电材料第55-56页
        4.1.2 探测器绝热结构第56-57页
    4.2 热释电红外探测器工作原理及性能第57-59页
        4.2.1 热释电红外探测器工作原理第57-58页
        4.2.2 热释电红外探测器的性能指标第58-59页
    4.3 热释电红外探测器单元器件第59-71页
        4.3.1 热释电红外探测器单元制备第59-65页
        4.3.2 热释电红外探测器单元的性能第65-71页
    4.4 热释电红外探测器阵列器件第71-77页
        4.4.1 热释电红外探测器阵列器件制备第71-75页
        4.4.2 热释电红外探测器阵列器件性能第75-77页
    4.5 本章小结第77-78页
第五章 SiO_2气凝胶薄膜在阻变存储器中的应用第78-109页
    5.1 阻变存储器简介第78-83页
        5.1.1 阻变存储器结构第79页
        5.1.2 阻变存储器的I-V特性第79-80页
        5.1.3 阻变存储器的阻变机理第80-83页
    5.2 阻变存储器点阵器件的制备第83-85页
    5.3 测试与表征第85-86页
    5.4 实验结果与分析第86-101页
        5.4.1 形貌与微观结构第86-89页
        5.4.2 元素状态分析第89-92页
        5.4.3 电学特性分析第92-99页
        5.4.4 性能优势与微观模型第99-101页
    5.5 多级阻变现象第101-107页
    5.6 本章小结第107-109页
第六章 全文总结与展望第109-113页
    6.1 全文总结第109-110页
    6.2 创新点第110-111页
    6.3 后续工作展望第111-113页
致谢第113-114页
参考文献第114-133页
攻读博士学位期间取得的成果第133-135页

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