| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-8页 |
| 专用术语注释表 | 第11-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-21页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 忆阻器的器件结构和表征参数 | 第13-14页 |
| 1.3 突触可塑性简介 | 第14-17页 |
| 1.4 基于忆阻器的ANNs构建 | 第17-18页 |
| 1.5 本论文的主要工作与意义 | 第18-21页 |
| 第二章 离子型忆阻器的研究进展 | 第21-46页 |
| 2.1 引言 | 第21-22页 |
| 2.2 离子型忆阻器的工作原理及实现渐变型阻变的调控策略 | 第22-30页 |
| 2.2.1 VCM系统的工作原理 | 第22-23页 |
| 2.2.2 基于VCM系统的渐变型阻变调控策略 | 第23-27页 |
| 2.2.3 ECM系统的工作原理 | 第27-28页 |
| 2.2.4 基于VCM系统的渐变型阻变调控策略 | 第28-30页 |
| 2.3 活性层材料及掺杂剂的研究进展 | 第30-45页 |
| 2.3.1 基于无机材料的离子型忆阻器 | 第31-37页 |
| 2.3.2 基于有机材料的离子型忆阻器 | 第37-44页 |
| 2.3.3 基于掺杂剂优化调控策略的离子型忆阻器 | 第44-45页 |
| 2.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第三章 基于ZnTPP的二极管忆阻器性能和机理研究 | 第46-61页 |
| 3.1 引言 | 第46-47页 |
| 3.2 ZnTPP忆阻器的器件制备 | 第47-49页 |
| 3.3 ZnTPP忆阻器的性能测试 | 第49-54页 |
| 3.3.1 I-V特性曲线测试与分析 | 第49-50页 |
| 3.3.2 氧离子迁移机制的电学表征 | 第50-53页 |
| 3.3.3 ZnTPP忆阻器的SVDP特性 | 第53-54页 |
| 3.4 配位键辅助的氧离子迁移机制微观表征 | 第54-59页 |
| 3.4.1 STEM-EDX研究氧离子迁移 | 第54-55页 |
| 3.4.2 XPS表征氧离子的种类及与ZnTPP分子之间的相互作用 | 第55-59页 |
| 3.5 本章小结 | 第59-61页 |
| 第四章 MTPP金属效应对忆阻器性能的影响 | 第61-66页 |
| 4.1 引言 | 第61-62页 |
| 4.2 MTPP忆阻器的性能对比 | 第62-63页 |
| 4.3 MTPP配位键对忆阻性能的影响 | 第63-64页 |
| 4.4 MTPP忆阻器的金属依赖可塑性 | 第64-65页 |
| 4.5 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 基于ZnTPP忆阻器的神经功能模拟 | 第66-77页 |
| 5.1 引言 | 第66页 |
| 5.2 基于赫布规则的神经功能模拟 | 第66-71页 |
| 5.3 基于SVDP的习惯化和敏感化行为模拟 | 第71-73页 |
| 5.4 基于SVDP的视觉信号噪音过滤 | 第73-75页 |
| 5.5 本章小结 | 第75-77页 |
| 第六章 总结与展望 | 第77-80页 |
| 参考文献 | 第80-94页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第94-95页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第95-96页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第96-97页 |
| 致谢 | 第97页 |
