采用PVT法生长GaN纳米线的仿真和实验研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 引言 | 第9-11页 |
| 1.2 GaN材料简介 | 第11-15页 |
| 1.2.1 GaN材料的晶体结构及化学性质 | 第12-13页 |
| 1.2.2 GaN材料的光学和电学性质 | 第13-14页 |
| 1.2.3 GaN晶体的制备方法 | 第14-15页 |
| 1.3 纳米材料及应用 | 第15-19页 |
| 1.3.1 纳米材料的特性 | 第15-17页 |
| 1.3.2 纳米材料的应用 | 第17页 |
| 1.3.3 纳米半导体的特性 | 第17-19页 |
| 1.4 一维GaN纳米材料 | 第19-22页 |
| 1.4.1 GaN纳米线的制备方法 | 第19-21页 |
| 1.4.2 GaN纳米线的表征方法 | 第21-22页 |
| 1.5 本文主要研究内容及方案 | 第22-23页 |
| 第二章 计算流体力学（CFD）与PVT生长系统 | 第23-31页 |
| 2.1 计算流体力学（CFD）基础 | 第23-26页 |
| 2.1.1 流体的基本性质 | 第23-24页 |
| 2.1.2 计算流体力学的发展历程 | 第24页 |
| 2.1.3 计算流体力学中的基本规律 | 第24-25页 |
| 2.1.4 计算流体力学的数值模拟方法 | 第25-26页 |
| 2.2 计算流体力学常用软件 | 第26-28页 |
| 2.2.1 Gambit介绍 | 第27页 |
| 2.2.2 Fluent 6.3介绍 | 第27-28页 |
| 2.3 PVT生长系统 | 第28-30页 |
| 2.3.1 PVT法生长GaN纳米线介绍 | 第28-29页 |
| 2.3.2 本课题所采用的PVT生长系统介绍 | 第29-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 PVT系统反应腔的二维仿真实验 | 第31-47页 |
| 3.1 PVT系统反应腔二维模型的建立 | 第31-32页 |
| 3.2 衬底距离对GaN纳米线生长的影响 | 第32-38页 |
| 3.2.1 边界条件 | 第32-33页 |
| 3.2.2 仿真实验结果 | 第33-37页 |
| 3.2.3 仿真结果的分析与优化 | 第37-38页 |
| 3.3 不同氨气流量的GaN纳米线生长讨论 | 第38-42页 |
| 3.3.1 边界条件 | 第38页 |
| 3.3.2 仿真实验结果 | 第38-41页 |
| 3.3.3 仿真结果的分析与优化 | 第41-42页 |
| 3.4 改变反应温度GaN纳米线生长的探讨 | 第42-45页 |
| 3.4.1 边界条件 | 第42-43页 |
| 3.4.2 仿真实验结果 | 第43-44页 |
| 3.4.3 仿真结果的分析与优化 | 第44-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 PVT系统反应腔的三维仿真实验 | 第47-54页 |
| 4.1 PVT系统反应腔三维模型的建立 | 第47-48页 |
| 4.1.1 反应腔几何模型及网格划分 | 第47-48页 |
| 4.1.2 边界条件 | 第48页 |
| 4.2 仿真实验结果 | 第48-51页 |
| 4.2.1 流场分布 | 第48-50页 |
| 4.2.2 GaN的沉积率 | 第50-51页 |
| 4.3 三维模型与二维模型的对比 | 第51-53页 |
| 4.3.1 流场分布 | 第51-52页 |
| 4.3.2 GaN的沉积率 | 第52-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 GaN纳米线的实验室生长及光学分析 | 第54-60页 |
| 5.1 实验设备 | 第54页 |
| 5.2 实验方案 | 第54页 |
| 5.3 结果分析 | 第54-59页 |
| 5.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第六章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
