纳米铜薄膜的制备与物性分析
| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 第一章 引言 | 第8-11页 |
| 1.1 课题背景 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第9-10页 |
| 1.3 本研究的主要任务 | 第10-11页 |
| 第二章 纳米材料及制备方法 | 第11-25页 |
| 2.1 纳米材料的性质 | 第11-15页 |
| 2.2 薄膜的制备方法 | 第15-23页 |
| 2.2.1 热氧化法制备薄膜 | 第15页 |
| 2.2.2 化学气相沉积法制备薄膜 | 第15-16页 |
| 2.2.3 电镀法制备薄膜 | 第16-17页 |
| 2.2.4 化学制备薄膜材料 | 第17页 |
| 2.2.5 阴极反应沉积法制备薄膜材料 | 第17页 |
| 2.2.6 真空蒸发制备薄膜材料 | 第17-20页 |
| 2.2.7 磁控溅射法制备薄膜材料 | 第20-22页 |
| 2.2.8 分子束外延法制备薄膜材料 | 第22-23页 |
| 2.3 其它制备纳米薄膜材料的方法 | 第23-25页 |
| 2.3.1 脉冲激光沉积法 | 第23页 |
| 2.3.2 非晶晶化法 | 第23页 |
| 2.3.3 惰性气体加压法 | 第23-25页 |
| 第三章 纳米铜薄膜的制备实验 | 第25-36页 |
| 3.1 纳米铜的晶体结构和性质 | 第25页 |
| 3.1.1 铜的晶体结构[27] | 第25页 |
| 3.1.2 高纯铜粉的性质 | 第25页 |
| 3.2 真空的获得及测量 | 第25-32页 |
| 3.2.1 真空的获得 | 第26-28页 |
| 3.2.2 复合分子泵 | 第28页 |
| 3.2.3 真空的测量 | 第28-32页 |
| 3.3 薄膜的形成与生长 | 第32-36页 |
| 3.3.1 成核过程 | 第32-34页 |
| 3.3.2 薄膜的生长过程 | 第34-36页 |
| 第四章 铜薄膜的制备过程 | 第36-41页 |
| 4.1 实验设备与材料 | 第36-38页 |
| 4.2 实验分析工具 | 第38页 |
| 4.3 实验过程 | 第38-41页 |
| 第五章 实验结果分析 | 第41-55页 |
| 5.1 电流强度对沉积速率的影响 | 第41-42页 |
| 5.2 基底到蒸发源的距离对沉积速率的影响 | 第42-43页 |
| 5.3 蒸镀时间对沉积速率的影响 | 第43-45页 |
| 5.4 电场对沉积速率的影响 | 第45-46页 |
| 5.5 电流强度对薄膜表面结构的影响 | 第46-48页 |
| 5.6 Cu薄膜的结晶度与蒸发电流强度的关系 | 第48-50页 |
| 5.7 退火对薄膜织构的影响 | 第50-53页 |
| 5.7.1 退火后薄膜的XRD分析 | 第50页 |
| 5.7.2 X射线衍射图谱分析 | 第50-53页 |
| 5.8 退火对薄膜硬度的影响 | 第53-55页 |
| 第六章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 6.1 总结 | 第55-56页 |
| 6.2 展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
