| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 引言 | 第9-26页 |
| 1.1 本章引论 | 第9-10页 |
| 1.2 拓扑绝缘体的发展历史 | 第10-13页 |
| 1.2.1 整数量子霍尔效应 | 第10-11页 |
| 1.2.2 自旋霍尔效应、量子自旋霍尔效应和Z2拓扑绝缘体 | 第11-12页 |
| 1.2.3 拓扑场理论 | 第12-13页 |
| 1.3 拓扑绝缘体材料 | 第13-18页 |
| 1.3.1 二维拓扑绝缘体材料 | 第13-14页 |
| 1.3.2 三维拓扑绝缘体材料 | 第14-18页 |
| 1.4 量子反常霍尔效应 | 第18-26页 |
| 1.4.1 量子反常霍尔效应的历史 | 第18-22页 |
| 1.4.2 我们组在磁性掺杂拓扑绝缘体薄膜中研究量子反常霍尔效应的实验进展 | 第22-26页 |
| 第2章 实验技术与原理 | 第26-42页 |
| 2.1 本章引论 | 第26-27页 |
| 2.2 超高真空技术（ UHV） | 第27-30页 |
| 2.3 分子束外延生长技术（ MBE） | 第30-33页 |
| 2.4 角分辨光电子能谱（ ARPES）[91] | 第33-35页 |
| 2.5 扫描探针显微术[92] | 第35-38页 |
| 2.5.1 扫描隧道显微术（ STM） | 第35-37页 |
| 2.5.2 原子力显微术（ AFM）[89] | 第37-38页 |
| 2.6 低温强磁场输运技术 | 第38-40页 |
| 2.7 原子层沉积技术（ ALD） | 第40-42页 |
| 第3章 在Cr掺杂(Bi,Sb)_2Te_3薄膜中实现量子反常霍尔效应 | 第42-73页 |
| 3.1 本章引论 | 第42-44页 |
| 3.2 薄膜能带结构 | 第44-48页 |
| 3.3 钛酸锶衬底的处理 | 第48-54页 |
| 3.3.1 斜切角的影响 | 第51-53页 |
| 3.3.2 管式炉中退火温度的影响 | 第53-54页 |
| 3.4 表面覆盖层 | 第54-62页 |
| 3.4.1 Te与Al_2O_3 | 第55-57页 |
| 3.4.2 氟化锂 | 第57-59页 |
| 3.4.3 聚甲基丙烯酸甲酯（ PMMA） | 第59-62页 |
| 3.5 Cr掺杂 (Bi,Sb)_2Te_3薄膜中量子反常霍尔效应的实验实现 | 第62-72页 |
| 3.5.1 实现量子反常霍尔效应的样品 | 第62-63页 |
| 3.5.2 量子反常霍尔效应在高温下出现的迹象 | 第63-66页 |
| 3.5.3 量子反常霍尔效应在 30 m K下的实验观测 | 第66-72页 |
| 3.6 本章小结 | 第72-73页 |
| 第4章 量子反常霍尔效应对磁性掺杂拓扑绝缘体薄膜厚度的依赖性 | 第73-94页 |
| 4.1 本章引论 | 第73-74页 |
| 4.2 Sb_2Te_3薄膜作为三维拓扑绝缘体的层厚极限 | 第74-83页 |
| 4.2.1 不同层厚Sb_2Te_3薄膜角分辨光电子能谱测量结果与分析 | 第74-76页 |
| 4.2.2 不同层厚Sb_2Te_3薄膜输运测量结果及分析 | 第76-83页 |
| 4.3 不同层厚Cr_(0.15)(Bi_(0.1)Sb_(0.9))_(1.85)Te_3薄膜量子反常霍尔效应的输运测量结果与分析 | 第83-93页 |
| 4.4 本章小结 | 第93-94页 |
| 第5章 电子结构相互耦合的石墨烯与拓扑绝缘体异质结构的实现 | 第94-103页 |
| 5.1 本章引论 | 第94-95页 |
| 5.2 石墨烯终止的碳化硅上生长Sb_2Te_3的角分辨光电子能谱测量结果与分析 | 第95-101页 |
| 5.3 本章小结 | 第101-103页 |
| 第6章 结论 | 第103-105页 |
| 参考文献 | 第105-113页 |
| 致谢 | 第113-115页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第115-116页 |
