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β-AgVO3电子结构与光吸收性能的理论研究

摘要第3-4页
ABSTRACT第4-5页
第一章 绪论第9-17页
    1.1 引言第9页
    1.2 半导体光催化剂第9-12页
        1.2.1 光催化机理第10-11页
        1.2.2 半导体光催化剂的应用第11-12页
    1.3 银钒氧化物及β-AgVO_3的介绍第12-15页
        1.3.1 银钒氧化物的介绍第13页
        1.3.2 β-AgVO_3的介绍第13-14页
        1.3.3 β-AgVO_3的制备方法第14页
        1.3.4 β-AgVO_3的光催化改性研究第14-15页
    1.4 β-AgVO_3的理论研究第15-16页
    1.5 本文的研究意义和内容第16-17页
第二章 第一性原理及VASP软件介绍第17-27页
    2.1 引言第17页
    2.2 第一性原理计算方法第17-19页
        2.2.1 第一性原理的理论前提第17-18页
        2.2.2 三个基本近似第18-19页
    2.3 密度泛函理论第19-22页
        2.3.1 Thomas-Fermi模型第19-20页
        2.3.2 Thomas-Fermi-Dirac模型第20页
        2.3.3 Hohenberg-Kohn定理第20-21页
        2.3.4 Kohn-Shan方法第21-22页
    2.4 交换-关联能函数近似第22-23页
        2.4.1 局域密度近似(LDA)第22-23页
        2.4.2 广义梯度近似(GGA)第23页
        2.4.3 轨道泛函第23页
    2.5 Bloch定理和赝势第23-25页
    2.6 VASP软件包简介第25-27页
第三章 本征β-AgVO_3晶体的理论研究第27-34页
    3.1 引言第27页
    3.2 β-AgVO_3晶体的晶体结构与晶格参数第27-29页
    3.3 几何结构优化第29-30页
    3.4 结果讨论第30-33页
        3.4.1 能带结构分析第30-31页
        3.4.2 态密度分析第31-32页
        3.4.3 bader电荷分析第32-33页
    3.5 本章小节第33-34页
第四章 空位缺陷对β-AgVO_3影响的理论研究第34-44页
    4.1 引言第34页
    4.2 计算方法和理论模型第34-38页
        4.2.1 空位形成能计算第35-36页
        4.2.2 晶体稳定性分析第36-38页
    4.3 结果讨论第38-43页
        4.3.1 能带结构和态密度分析第38-39页
        4.3.2 bader电荷分析第39-41页
        4.3.3 吸收光谱分析第41-43页
    4.4 本章小节第43-44页
第五章 Cu、Fe取代掺杂β-AgVO_3的理论研究第44-51页
    5.1 引言第44页
    5.2 计算方法和理论模型第44-46页
    5.3 结果讨论第46-49页
        5.3.1 能带结构和态密度分析第46-48页
        5.3.2 bader电荷分析第48-49页
        5.3.3 吸收光谱分析第49页
    5.4 本章小节第49-51页
第六章 总结第51-52页
参考文献第52-59页
致谢第59-60页
硕士期间发表的论文第60页

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