摘要 | 第3-4页 |
ABSTRACT | 第4-5页 |
第一章 绪论 | 第9-17页 |
1.1 引言 | 第9页 |
1.2 半导体光催化剂 | 第9-12页 |
1.2.1 光催化机理 | 第10-11页 |
1.2.2 半导体光催化剂的应用 | 第11-12页 |
1.3 银钒氧化物及β-AgVO_3的介绍 | 第12-15页 |
1.3.1 银钒氧化物的介绍 | 第13页 |
1.3.2 β-AgVO_3的介绍 | 第13-14页 |
1.3.3 β-AgVO_3的制备方法 | 第14页 |
1.3.4 β-AgVO_3的光催化改性研究 | 第14-15页 |
1.4 β-AgVO_3的理论研究 | 第15-16页 |
1.5 本文的研究意义和内容 | 第16-17页 |
第二章 第一性原理及VASP软件介绍 | 第17-27页 |
2.1 引言 | 第17页 |
2.2 第一性原理计算方法 | 第17-19页 |
2.2.1 第一性原理的理论前提 | 第17-18页 |
2.2.2 三个基本近似 | 第18-19页 |
2.3 密度泛函理论 | 第19-22页 |
2.3.1 Thomas-Fermi模型 | 第19-20页 |
2.3.2 Thomas-Fermi-Dirac模型 | 第20页 |
2.3.3 Hohenberg-Kohn定理 | 第20-21页 |
2.3.4 Kohn-Shan方法 | 第21-22页 |
2.4 交换-关联能函数近似 | 第22-23页 |
2.4.1 局域密度近似(LDA) | 第22-23页 |
2.4.2 广义梯度近似(GGA) | 第23页 |
2.4.3 轨道泛函 | 第23页 |
2.5 Bloch定理和赝势 | 第23-25页 |
2.6 VASP软件包简介 | 第25-27页 |
第三章 本征β-AgVO_3晶体的理论研究 | 第27-34页 |
3.1 引言 | 第27页 |
3.2 β-AgVO_3晶体的晶体结构与晶格参数 | 第27-29页 |
3.3 几何结构优化 | 第29-30页 |
3.4 结果讨论 | 第30-33页 |
3.4.1 能带结构分析 | 第30-31页 |
3.4.2 态密度分析 | 第31-32页 |
3.4.3 bader电荷分析 | 第32-33页 |
3.5 本章小节 | 第33-34页 |
第四章 空位缺陷对β-AgVO_3影响的理论研究 | 第34-44页 |
4.1 引言 | 第34页 |
4.2 计算方法和理论模型 | 第34-38页 |
4.2.1 空位形成能计算 | 第35-36页 |
4.2.2 晶体稳定性分析 | 第36-38页 |
4.3 结果讨论 | 第38-43页 |
4.3.1 能带结构和态密度分析 | 第38-39页 |
4.3.2 bader电荷分析 | 第39-41页 |
4.3.3 吸收光谱分析 | 第41-43页 |
4.4 本章小节 | 第43-44页 |
第五章 Cu、Fe取代掺杂β-AgVO_3的理论研究 | 第44-51页 |
5.1 引言 | 第44页 |
5.2 计算方法和理论模型 | 第44-46页 |
5.3 结果讨论 | 第46-49页 |
5.3.1 能带结构和态密度分析 | 第46-48页 |
5.3.2 bader电荷分析 | 第48-49页 |
5.3.3 吸收光谱分析 | 第49页 |
5.4 本章小节 | 第49-51页 |
第六章 总结 | 第51-52页 |
参考文献 | 第52-59页 |
致谢 | 第59-60页 |
硕士期间发表的论文 | 第60页 |