摘要 | 第3-5页 |
ABSTRACT | 第5-7页 |
第一章 绪论 | 第11-21页 |
1.1 集成电路发展历程 | 第11-12页 |
1.2 集成电路的发展现状 | 第12-13页 |
1.3 高介电常数栅极氧化层材料 | 第13-15页 |
1.3.1 高介电常数栅介质材料选择原理 | 第13-14页 |
1.3.2 高介电常数栅介质材料选择标准 | 第14-15页 |
1.4 HfO_2的结构及其性质 | 第15-16页 |
1.5 HfO_2的研究进展 | 第16-18页 |
1.5.1 HfO_2电学性能方面的研究 | 第17页 |
1.5.2 HfO_2光学性能的研究 | 第17-18页 |
1.6 椭偏仪的发展 | 第18-19页 |
1.7 椭偏仪的优势 | 第19页 |
1.8 椭偏仪的应用 | 第19-20页 |
1.9 本文的主要研究工作 | 第20-21页 |
第二章 纳米尺度HfO_2薄膜的光谱椭偏模型建立 | 第21-31页 |
2.1 引言 | 第21页 |
2.2 相调制型光谱椭偏仪原理 | 第21-23页 |
2.3 实验方法 | 第23页 |
2.4 实验仪器介绍 | 第23-24页 |
2.4.1 相调制型光谱反射仪 | 第23-24页 |
2.4.2 掠入射X射线反射仪 | 第24页 |
2.5 掠入射X射线反射技术测量结果及分析 | 第24-26页 |
2.6 光谱椭偏模型建立 | 第26-28页 |
2.6.1 光谱椭偏结构和色散模型 | 第26-27页 |
2.6.2 光谱椭偏拟合参数 | 第27-28页 |
2.7 光谱椭偏独立性测试 | 第28-29页 |
2.8 本章小结 | 第29-31页 |
第三章 纳米尺度HfO_2薄膜不同厚度对光学性质的影响 | 第31-47页 |
3.1 引言 | 第31-32页 |
3.2 掠入射X射线反射技术测量原理 | 第32-33页 |
3.2.1 掠入射X射线反射技术测量原理 | 第32页 |
3.2.2 数据拟合软件IMD介绍 | 第32-33页 |
3.3 实验方案 | 第33-34页 |
3.3.1 薄膜制备 | 第33页 |
3.3.2 表征手段 | 第33-34页 |
3.4 掠入射X射线反射技术测量结果及分析 | 第34-40页 |
3.5 光谱椭偏拟合结果 | 第40-44页 |
3.5.1 光谱椭偏的结构模型 | 第40页 |
3.5.2 光谱椭偏确定HfO_2薄膜厚度和光学常数 | 第40-44页 |
3.5.3 HfO_2薄膜光学常数与厚度的关系 | 第44页 |
3.6 本章小结 | 第44-47页 |
第四章 HfO_2膜厚标准物质研制 | 第47-73页 |
4.1 引言 | 第47-48页 |
4.2 标准物质候选物的制备 | 第48-49页 |
4.2.1 候选物的选择原则 | 第48页 |
4.2.2 制备方法的选择 | 第48页 |
4.2.3 标准物质候选物确定 | 第48-49页 |
4.3 HfO_2薄膜厚度标准物质均匀性检验 | 第49-58页 |
4.3.1 名义值厚度 2 nm HfO_2薄膜均匀性检验 | 第51-53页 |
4.3.2 名义值厚度 5 nm HfO_2薄膜均匀性检验 | 第53-56页 |
4.3.3 名义值厚度 10nm HfO_2薄膜均匀性检验 | 第56-58页 |
4.4 HfO_2薄膜厚度标准物质稳定性检验 | 第58-62页 |
4.4.1 名义值厚度 2 nm HfO_2薄膜稳定性检验 | 第59-60页 |
4.4.2 名义值厚度 5 nm HfO_2薄膜稳定性检验 | 第60-61页 |
4.4.3 名义值厚度 10nm HfO_2薄膜稳定性检验 | 第61-62页 |
4.5 HfO_2薄膜厚度标准物质定值 | 第62-67页 |
4.5.1 定值设备 | 第62-64页 |
4.5.2 定值方法的选择 | 第64-65页 |
4.5.3 测量条件 | 第65页 |
4.5.4 拟合模型的选择 | 第65-66页 |
4.5.5 测量重复性 | 第66-67页 |
4.6 标准物质的定值不确定度 | 第67-69页 |
4.6.1 不确定度来源分析 | 第68-69页 |
4.7 合成不确定度 | 第69页 |
4.8 扩展不确定度 | 第69-70页 |
4.9 结果表达 | 第70-71页 |
4.10 本章小结 | 第71-73页 |
第五章 结论与展望 | 第73-75页 |
5.1 结论 | 第73-74页 |
5.2 展望 | 第74-75页 |
参考文献 | 第75-85页 |
致谢 | 第85-87页 |
攻读硕士期间发表的学术论文 | 第87页 |