| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-37页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第11页 |
| 1.2 国内外SiC单晶片的超精密加工工艺研究现状 | 第11-18页 |
| 1.2.1 切割 | 第11-12页 |
| 1.2.2 研磨 | 第12页 |
| 1.2.3 粗抛 | 第12-13页 |
| 1.2.4 超精密抛光 | 第13-18页 |
| 1.3 化学机械抛光技术影响因素 | 第18-28页 |
| 1.3.1 抛光液 | 第19-25页 |
| 1.3.2 抛光垫 | 第25-27页 |
| 1.3.3 抛光参数 | 第27-28页 |
| 1.4 CMP材料去除机理及模型研究状况 | 第28-34页 |
| 1.4.1 化学作用机理 | 第28-30页 |
| 1.4.2 机械作用机理 | 第30-32页 |
| 1.4.3 材料去除模型 | 第32-34页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容与意义 | 第34-37页 |
| 1.5.1 研究内容 | 第34-35页 |
| 1.5.2 研究意义 | 第35-37页 |
| 第二章 SiC晶片CMP抛光液组分优化 | 第37-57页 |
| 2.1 引言 | 第37页 |
| 2.2 试验材料与方法 | 第37-38页 |
| 2.2.1 试验材料 | 第37页 |
| 2.2.2 抛光液的配制 | 第37页 |
| 2.2.3 CMP抛光试验 | 第37-38页 |
| 2.3 试验结果与讨论 | 第38-56页 |
| 2.3.1 不同氧化剂对 6H-SiC晶片CMP抛光效果的影响 | 第39-48页 |
| 2.3.2 不同磨粒对 6H-SiC晶片CMP抛光效果的影响 | 第48-54页 |
| 2.3.3 6H-SiC晶片不同晶面的CMP抛光效果对比 | 第54-56页 |
| 2.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第三章 6H-SiC晶片表面化学作用机理研究 | 第57-73页 |
| 3.1 引言 | 第57页 |
| 3.2 试验材料与方法 | 第57-58页 |
| 3.2.1 试验材料 | 第57-58页 |
| 3.2.2 X-射线光电子能谱（XPS）分析 | 第58页 |
| 3.3 试验结果与讨论 | 第58-72页 |
| 3.3.1 氧化腐蚀作用对 6H-SiC晶片表面化学组成的影响 | 第58-66页 |
| 3.3.2 不同抛光环境对 6H-SiC晶片抛光表面化学组成的影响 | 第66-72页 |
| 3.4 6H-SiC晶片CMP抛光过程中化学作用机理分析 | 第72页 |
| 3.5 本章小结 | 第72-73页 |
| 第四章 抛光粒子与晶片表面相互作用力研究 | 第73-91页 |
| 4.1 引言 | 第73页 |
| 4.2 试验材料与方法 | 第73-75页 |
| 4.2.1 试验材料 | 第73-74页 |
| 4.2.2 接触角测量 | 第74页 |
| 4.2.3 zeta电势测量 | 第74-75页 |
| 4.2.4 SEM观察 | 第75页 |
| 4.3 试验结果与讨论 | 第75-90页 |
| 4.3.1 6H-SiC晶片表面润湿性能研究 | 第75-80页 |
| 4.3.2 zeta电势测量 | 第80-81页 |
| 4.3.3 6H-SiC晶片表面粒子粘附情况表征 | 第81-86页 |
| 4.3.4 双电层DLVO相互作用力 | 第86-89页 |
| 4.3.5 粒子吸附对 6H-SiC晶片CMP抛光效果的影响 | 第89-90页 |
| 4.4 本章小结 | 第90-91页 |
| 第五章 CMP抛光过程中的摩擦学行为研究 | 第91-112页 |
| 5.1 引言 | 第91页 |
| 5.2 6H-SiC晶片在不同抛光液中的摩擦学行为 | 第91-104页 |
| 5.2.1 试验材料与方法 | 第91-92页 |
| 5.2.2 试验结果与讨论 | 第92-103页 |
| 5.2.3 结论 | 第103-104页 |
| 5.3 不同抛光参数下的摩擦学行为研究 | 第104-111页 |
| 5.3.1 试验材料与方法 | 第104-105页 |
| 5.3.2 试验结果与讨论 | 第105-111页 |
| 5.3.3 结论 | 第111页 |
| 5.4 本章小结 | 第111-112页 |
| 第六章 6H-SiC晶片CMP抛光过程中的材料去除模型 | 第112-131页 |
| 6.1 引言 | 第112-113页 |
| 6.2 抛光垫/晶片表面间的微观接触模型 | 第113-117页 |
| 6.3 抛光垫/磨粒/晶片-三体作用机理 | 第117-130页 |
| 6.3.1 双电层DLVO作用下力平衡关系 | 第118-124页 |
| 6.3.2 DLVO作用力对磨粒受力的影响 | 第124-126页 |
| 6.3.3 DLVO作用力对磨粒压入深度的影响 | 第126-129页 |
| 6.3.4 DLVO对氧化转化百分数 β 和去除百分数 γ 的影响 | 第129-130页 |
| 6.3.5 结论 | 第130页 |
| 6.4 本章小结 | 第130-131页 |
| 主要结论与展望 | 第131-133页 |
| 创新点 | 第133-134页 |
| 致谢 | 第134-135页 |
| 参考文献 | 第135-147页 |
| 附录: 作者在攻读博士学位期间发表的论文 | 第147页 |
