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钨掺杂氧化钒基非制冷红外探测器的制备与性能研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-8页
符号说明第12-13页
第一章 绪论第13-22页
    1.1 红外辐射简介第13-15页
        1.1.1 红外探测器的发展历程第13-15页
    1.2 红外探测器的分类第15-17页
        1.2.1 光电探测器第15-16页
        1.2.2 热电探测器第16-17页
    1.3 红外探测器的应用第17页
    1.4 国内外研究现状第17-21页
        1.4.1 国外知名厂商第18-19页
        1.4.2 国内发展情况第19-20页
        1.4.3 发展前景第20-21页
    1.5 本课题的研究目的和研究内容第21-22页
第二章 微测辐射热计及其工作原理第22-26页
    2.1 微测辐射热计第22页
    2.2 微测辐射热计探测机理第22-23页
    2.3 探测器的评价参数第23-26页
        2.3.1 响应率第24页
        2.3.2 噪声等效功率第24页
        2.3.3 探测率第24-26页
第三章 VO_x材料的制备及其电学特性第26-34页
    3.1 钒的氧化物第26页
    3.2 氧化钒薄膜的制备方法第26-29页
        3.2.1 蒸发法第27页
        3.2.2 脉冲激光沉积法(PLD)第27-28页
        3.2.3 溶胶-凝胶法(Sol-Gel)第28页
        3.2.4 磁控溅射法第28-29页
    3.3 氧化钒薄膜的掺杂第29-30页
        3.3.1 离子注入法第30页
        3.3.2 水热合成掺杂法第30页
    3.4 氧化钒薄膜的电学特性第30-34页
第四章 VOx微测辐射热计器件工艺第34-56页
    4.1 微桥工艺第34-35页
        4.1.1 体硅微桥工艺第34页
        4.1.2 表面微桥工艺第34-35页
        4.1.3 多孔硅绝热层微桥工艺第35页
        4.1.4 柔性衬底工艺第35页
    4.2 VOx红外探测器器件制备工艺流程第35-38页
        4.2.1 光刻技术第36页
        4.2.2 实验设备第36-37页
        4.2.3 工艺制备第37-38页
    4.3 表面微桥器件工艺流程设计第38-47页
        4.3.1 残余应力来源及影响第45-46页
        4.3.2 减小残余应力方法第46-47页
        4.3.3 氧化钒薄膜退火的必要性第47页
    4.4 存在的主要问题与解决方案第47-51页
    4.5 改进工艺后的器件工艺制备第51-56页
第五章 器件性能测试与分析第56-66页
    5.1 微测辐射热计的I-V特性第57-59页
    5.2 微测辐射热计的光电响应特性第59-62页
    5.3 微测辐射热计的噪声电压第62-63页
    5.4 微测辐射热计的探测率第63-65页
    5.5 测试过程中出现的问题与总结第65-66页
第六章 总结及前景展望第66-68页
    6.1 总结第66页
    6.2 展望第66-68页
参考文献第68-72页
致谢第72-73页
攻读学位期间发表的学术论文第73页

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