基于磁弹效应的传感器的温度补偿方法研究
摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第12-18页 |
1.1 课题背景 | 第12页 |
1.2 传感器温度补偿技术研究现状 | 第12-17页 |
1.2.1 国内外研究状况及分析 | 第12-15页 |
1.2.2 磁弹效应传感器温度补偿技术现状 | 第15-17页 |
1.3 本文主要研究工作 | 第17页 |
1.4 本章小结 | 第17-18页 |
第二章 磁弹效应传感器温度补偿方案的选择 | 第18-32页 |
2.1 磁弹效应传感器的工作原理 | 第18-21页 |
2.1.1 铁磁材料的磁滞回线与磁特性参数简介 | 第18-19页 |
2.1.2 磁弹效应传感器的基本原理 | 第19-21页 |
2.2 温度对磁弹效应传感器的影响机理 | 第21-26页 |
2.2.1 顺磁性朗之万理论 | 第22-23页 |
2.2.2 铁磁性分子场理论 | 第23-24页 |
2.2.3 洛赫的自旋波理论 | 第24-26页 |
2.3 温度补偿方案的选择 | 第26-30页 |
2.3.1 硬件补偿 | 第26-27页 |
2.3.2 软件补偿 | 第27-29页 |
2.3.3 补偿方案的选择 | 第29-30页 |
2.4 本章小结 | 第30-32页 |
第三章 BP神经网络法温度补偿 | 第32-42页 |
3.1 BP神经网络法原理 | 第32-36页 |
3.2 BP网络设计 | 第36-39页 |
3.3 BP网络训练结果分析 | 第39-41页 |
3.4 本章小结 | 第41-42页 |
第四章 RBF神经网络法温度补偿 | 第42-50页 |
4.1 RBF神经网络的原理 | 第42-44页 |
4.2 具体实现步骤 | 第44页 |
4.3 RBF网络训练结果分析 | 第44-47页 |
4.4 两种方法的比较 | 第47-48页 |
4.4.1 优点比较 | 第47页 |
4.4.2 局限性比较 | 第47-48页 |
4.5 本章小结 | 第48-50页 |
第五章 结论与展望 | 第50-52页 |
参考文献 | 第52-56页 |
致谢 | 第56页 |