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基于磁弹效应的传感器的温度补偿方法研究

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第12-18页
    1.1 课题背景第12页
    1.2 传感器温度补偿技术研究现状第12-17页
        1.2.1 国内外研究状况及分析第12-15页
        1.2.2 磁弹效应传感器温度补偿技术现状第15-17页
    1.3 本文主要研究工作第17页
    1.4 本章小结第17-18页
第二章 磁弹效应传感器温度补偿方案的选择第18-32页
    2.1 磁弹效应传感器的工作原理第18-21页
        2.1.1 铁磁材料的磁滞回线与磁特性参数简介第18-19页
        2.1.2 磁弹效应传感器的基本原理第19-21页
    2.2 温度对磁弹效应传感器的影响机理第21-26页
        2.2.1 顺磁性朗之万理论第22-23页
        2.2.2 铁磁性分子场理论第23-24页
        2.2.3 洛赫的自旋波理论第24-26页
    2.3 温度补偿方案的选择第26-30页
        2.3.1 硬件补偿第26-27页
        2.3.2 软件补偿第27-29页
        2.3.3 补偿方案的选择第29-30页
    2.4 本章小结第30-32页
第三章 BP神经网络法温度补偿第32-42页
    3.1 BP神经网络法原理第32-36页
    3.2 BP网络设计第36-39页
    3.3 BP网络训练结果分析第39-41页
    3.4 本章小结第41-42页
第四章 RBF神经网络法温度补偿第42-50页
    4.1 RBF神经网络的原理第42-44页
    4.2 具体实现步骤第44页
    4.3 RBF网络训练结果分析第44-47页
    4.4 两种方法的比较第47-48页
        4.4.1 优点比较第47页
        4.4.2 局限性比较第47-48页
    4.5 本章小结第48-50页
第五章 结论与展望第50-52页
参考文献第52-56页
致谢第56页

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