| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 硅探测器简介 | 第8-16页 |
| 1.2 选题依据和论文框架 | 第16-18页 |
| 第2章 新型低电容硅像素探测器的设计 | 第18-27页 |
| 2.1 新型低电容硅像素探测器的结构特点 | 第18-19页 |
| 2.2 灵敏区的选择 | 第19-20页 |
| 2.3 偏置电压的选择 | 第20-22页 |
| 2.4 电极形状的设计 | 第22-25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-27页 |
| 第3章 新型低电容硅像素探测器模型建立及三维结构介绍 | 第27-35页 |
| 3.1 新型低电容硅像素探测器模型建立 | 第27-31页 |
| 3.2 新型低电容硅像素探测器的三维结构 | 第31-34页 |
| 3.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 第4章 新型低电容硅像素探测器电学特性的仿真结果 | 第35-46页 |
| 4.1 电势和电场的分布 | 第35-38页 |
| 4.2 电容和全耗尽电压的仿真结果 | 第38-45页 |
| 4.2.1 探测器电容的构成及影响因素 | 第38页 |
| 4.2.2 改变探测器电极的有效面积 | 第38-39页 |
| 4.2.3 新型硅像素探测器的电容以及与传统的比较 | 第39-40页 |
| 4.2.4 新型硅像素探测器的全耗尽电压以及与传统的比较 | 第40-45页 |
| 4.3 本章小结 | 第45-46页 |
| 第5章 总结与展望 | 第46-48页 |
| 5.1 论文总结 | 第46-47页 |
| 5.2 工作展望 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 个人简历 | 第53-54页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文目录 | 第54-55页 |
| 附录A：Sentaurus Structure Editor语句 | 第55-65页 |
| 附录B：Sentaurus Device语句 | 第65页 |
