| 中文摘要 | 第8-10页 |
| Abstract | 第10-11页 |
| 符号说明 | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-23页 |
| 1.1 引言 | 第13页 |
| 1.2 半导体光催化的基本原理 | 第13-15页 |
| 1.3 半导体光催化材料的研究现状 | 第15-16页 |
| 1.4 g-C_3N_4材料的研究进展 | 第16-20页 |
| 1.4.1 g-C_3N_4材料简介 | 第16页 |
| 1.4.2 g-C_3N_4的结构及制备 | 第16-18页 |
| 1.4.3 g-C_3N_4的性质及调控 | 第18-20页 |
| 1.5 本论文的研究内容 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-23页 |
| 第二章 密度泛函理论基础与计算软件介绍 | 第23-37页 |
| 2.1 多粒子体系薛定谔方程求解 | 第23-26页 |
| 2.1.1 Born-Oppenheimer近似 | 第24-25页 |
| 2.1.2 Hartree-Fock近似 | 第25-26页 |
| 2.2 电子密度 | 第26-28页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第28-31页 |
| 2.3.1 Thomas-Fermi模型 | 第28页 |
| 2.3.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第28-29页 |
| 2.3.3 Kohn-Sham方程 | 第29-31页 |
| 2.4 交换关联泛函 | 第31-33页 |
| 2.4.1 局域密度近似(LDA) | 第31-32页 |
| 2.4.2 广义梯度近似(GGA) | 第32页 |
| 2.4.3 轨道泛函LDA/GGA+U | 第32-33页 |
| 2.4.4 杂化密度泛函(HSE) | 第33页 |
| 2.5 第一性原理计算软件包介绍 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-37页 |
| 第三章 C_(60)吸附对g-C_3N_4的结构与光催化性能的影响 | 第37-51页 |
| 3.1 研究背景 | 第37-38页 |
| 3.2 计算方法 | 第38-39页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第39-47页 |
| 3.3.1 C_(60)吸附g-C_3N_4的结构与稳定性 | 第39-40页 |
| 3.3.2 C_(60)吸附g-C_3N_4的电子结构与性质 | 第40-43页 |
| 3.3.3 褶皱g-C_3N_4的能量 | 第43-44页 |
| 3.3.4 褶皱g-C_3N_4的光吸收 | 第44-45页 |
| 3.3.5 褶皱g-C_3N_4的带边 | 第45-47页 |
| 3.4 结论 | 第47页 |
| 参考文献 | 第47-51页 |
| 第四章 Pt原子吸附对g-C_3N_4的电子结构及光催化性能的影响 | 第51-59页 |
| 4.1 研究背景 | 第51-52页 |
| 4.2 计算方法 | 第52页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第52-57页 |
| 4.3.1 结构与稳定性 | 第52-53页 |
| 4.3.2 电子结构和相关性质 | 第53-57页 |
| 4.4 结论 | 第57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第五章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 5.1 总结 | 第59-60页 |
| 5.2 展望 | 第60-61页 |
| 硕士期间发表的学术论文目录 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 附录: 攻读硕士期间所发表的英文论文(原文) | 第64-72页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第72页 |
