| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 1 引言 | 第11-12页 |
| 2 研究背景 | 第12-44页 |
| 2.1 纳米材料与纳米技术 | 第12-13页 |
| 2.2 一维ZnO纳米材料 | 第13-21页 |
| 2.2.1 ZnO纳米材料的简介 | 第14-15页 |
| 2.2.2 一维ZnO纳米材料的种类及形貌 | 第15-16页 |
| 2.2.3 一维ZnO纳米材料的制备 | 第16-19页 |
| 2.2.4 一维ZnO纳米材料的掺杂 | 第19-21页 |
| 2.3 一维ZnO纳米材料的性能 | 第21-31页 |
| 2.3.1 ZnO纳米材料力学性能 | 第21-24页 |
| 2.3.2 ZnO纳米材料压电性能 | 第24-25页 |
| 2.3.3 ZnO纳米材料的电学性能 | 第25-28页 |
| 2.3.4 ZnO纳米材料的光学性能 | 第28-31页 |
| 2.4 ZnO纳米材料压电电子学效应的器件应用 | 第31-43页 |
| 2.4.1 ZnO纳米压电发电机 | 第31-36页 |
| 2.4.2 ZnO纳米压电子器件 | 第36-38页 |
| 2.4.3 ZnO纳米压电光电子器件 | 第38-41页 |
| 2.4.4 压电电子学效应优化其他器件 | 第41-43页 |
| 2.5 研究目的与内容 | 第43-44页 |
| 3 一维ZnO纳米材料的制备与表征 | 第44-55页 |
| 3.1 一维ZnO纳米线的制备与表征 | 第44-48页 |
| 3.1.1 一维ZnO纳米线的制备 | 第44-45页 |
| 3.1.2 一维ZnO纳米线的形貌 | 第45-47页 |
| 3.1.3 一维ZnO纳米线的表征 | 第47-48页 |
| 3.2 一维ZnO纳米阵列的制备与表征 | 第48-54页 |
| 3.2.1 一维ZnO纳米阵列的制备 | 第48-50页 |
| 3.2.2 一维ZnO纳米阵列的形貌 | 第50-52页 |
| 3.2.3 一维ZnO纳米阵列的表征 | 第52-54页 |
| 3.3 小结 | 第54-55页 |
| 4 应变对肖特基结界面的调控 | 第55-68页 |
| 4.1 ZnO/PtIr肖特基结的构建及性能 | 第55-57页 |
| 4.2 应变对ZnO/PtIr肖特基界面电输运性能的调控规律 | 第57-58页 |
| 4.3 应变对ZnO/PtIr肖特基界面电输运性能的调控机理 | 第58-61页 |
| 4.4 源漏极间距对应力调控ZnO/PtIr肖特基界面输运性能的调控 | 第61-64页 |
| 4.5 应变对ZnO/Au肖特基界面载流子分布的调控规律 | 第64-66页 |
| 4.6 小结 | 第66-68页 |
| 5 应变对异质结界面光电响应的调控 | 第68-83页 |
| 5.1 应变对肖特基结界面光电响应的调控 | 第68-77页 |
| 5.1.1 ZnO/Au肖特基结的构建及性能 | 第68-73页 |
| 5.1.2 应变对ZnO/Au肖特基结光电响应的调控及机理 | 第73-77页 |
| 5.2 应变对pn结界面光电响应的调控 | 第77-82页 |
| 5.2.1 ZnO/p-Si pn结的构建及性能 | 第77-80页 |
| 5.2.2 应变对ZnO/p-Si pn结光电响应的调控及机理 | 第80-82页 |
| 5.3 小结 | 第82-83页 |
| 6 应变对异质结界面调控的失效行为 | 第83-103页 |
| 6.1 紫外光下应变对异质结界面调控的失效行为 | 第83-95页 |
| 6.1.1 应变对ZnO/Au肖特基界面调控的演变 | 第83-85页 |
| 6.1.2 应变对ZnO/Au肖特基界面调控的演变机理 | 第85-92页 |
| 6.1.3 应变对ZnO/Pedot pn界面调控的演变及机理 | 第92-95页 |
| 6.2 表面修饰增强界面压电电势 | 第95-102页 |
| 6.2.1 Au修饰ZnO纳米线阵列的制备及性能 | 第95-98页 |
| 6.2.2 Au修饰ZnO纳米线阵列的压电势测试 | 第98-100页 |
| 6.2.3 Au修饰ZnO纳米线阵列的压电势增强机理 | 第100-102页 |
| 6.3 小结 | 第102-103页 |
| 7 结论 | 第103-105页 |
| 参考文献 | 第105-120页 |
| 作者简历及在学研究成果 | 第120-127页 |
| 学位论文数据集 | 第127页 |
