| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 主要符号表 | 第19-20页 |
| 1 绪论 | 第20-49页 |
| 1.1 纳米半导体(Si、SiC、TiC)材料 | 第20-29页 |
| 1.1.1 硅纳米材料 | 第20-23页 |
| 1.1.2 碳化硅纳米材料 | 第23-27页 |
| 1.1.3 碳化钛纳米材料 | 第27-29页 |
| 1.2 纳米晶体形态控制 | 第29-40页 |
| 1.2.1 晶体多形态控制必要性 | 第29-34页 |
| 1.2.2 晶体多形态控制实验方法 | 第34-40页 |
| 1.3 直流电弧等离子体法纳米材料制备及形态控制 | 第40-46页 |
| 1.3.1 直流电弧等离子体法纳米材料制备原理 | 第40-42页 |
| 1.3.2 直流电弧等离子体制备产物形态控制 | 第42-45页 |
| 1.3.3 直流电弧等离子体设备及原理 | 第45-46页 |
| 1.4 本文研究目的与内容 | 第46-49页 |
| 1.4.1 研究目的 | 第46-47页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第47-49页 |
| 2 多形态Si纳米晶体制备及光电响应和电化学储锂特性 | 第49-73页 |
| 2.1 引言 | 第49-50页 |
| 2.2 实验部分 | 第50-53页 |
| 2.2.1 实验材料、设备和表征手段 | 第50-52页 |
| 2.2.2 Si纳米材料制备 | 第52页 |
| 2.2.3 Si纳米材料光/电化学性能测试 | 第52-53页 |
| 2.3 Si纳米材料形貌和结构 | 第53-61页 |
| 2.3.1 Si纳米晶体形貌 | 第53-57页 |
| 2.3.2 Si纳米晶体结构 | 第57-61页 |
| 2.4 多形态Si纳米晶体形成机理 | 第61-63页 |
| 2.5 Si纳米晶体光电响应性能 | 第63-67页 |
| 2.6 Si纳米晶体电化学储锂特性 | 第67-72页 |
| 本章小结 | 第72-73页 |
| 3 多形态SiC纳米晶体制备及光电催化特性 | 第73-89页 |
| 3.1 引言 | 第73页 |
| 3.2 实验部分 | 第73-75页 |
| 3.2.1 实验材料、设备和表征手段 | 第73-74页 |
| 3.2.2 SiC纳米材料制备 | 第74-75页 |
| 3.2.3 SiC纳米材料光电催化性能测试 | 第75页 |
| 3.3 SiC纳米晶体形貌和结构 | 第75-80页 |
| 3.3.1 SiC纳米晶体形貌 | 第75-77页 |
| 3.3.2 SiC纳米晶体结构 | 第77-80页 |
| 3.4 SiC纳米材料光电催化2,4-二氯酚脱氯特性 | 第80-88页 |
| 本章小结 | 第88-89页 |
| 4 多形态TiC/C纳术晶体可控制备及电催化特性 | 第89-112页 |
| 4.1 引言 | 第89页 |
| 4.2 实验部分 | 第89-92页 |
| 4.2.1 实验材料、设备和表征手段 | 第89-91页 |
| 4.2.2 TiC/C纳米晶体制备 | 第91页 |
| 4.2.3 TiC/C纳米晶体电催化性能测试 | 第91-92页 |
| 4.3 TiC/C纳米晶体形貌和结构 | 第92-100页 |
| 4.3.1 TiC/C纳米晶体形貌 | 第92-96页 |
| 4.3.2 TiC/C纳米晶体结构 | 第96-100页 |
| 4.4 多形态TiC/C纳米晶体形成机理 | 第100-102页 |
| 4.5 TiC/C纳米晶体电催化还原2,4-二氯酚脱氯特性 | 第102-110页 |
| 本章小结 | 第110-112页 |
| 5 结论、创新点与展望 | 第112-115页 |
| 5.1 结论 | 第112-113页 |
| 5.2 创新点 | 第113-114页 |
| 5.3 展望 | 第114-115页 |
| 参考文献 | 第115-131页 |
| 攻读博士学位期间科研项目及科研成果 | 第131-134页 |
| 致谢 | 第134-135页 |
| 作者简介 | 第135页 |
