高功率容量电容式RF MEMS开关失效机理研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-18页 |
| ·RF MEMS技术与RF MEMS元器件 | 第8-9页 |
| ·RF MEMS开关的应用与优缺点 | 第9-12页 |
| ·电容式RF MEMS开关失效机理研究现状 | 第12-15页 |
| ·介电层充电问题 | 第12-13页 |
| ·功率容量问题 | 第13-15页 |
| ·研究思路 | 第15-16页 |
| ·本文主要工作及内容安排 | 第16-18页 |
| ·主要工作介绍 | 第16页 |
| ·内容安排 | 第16-18页 |
| 2 电容式RF MEMS开关的理论分析与模型构建 | 第18-33页 |
| ·电容式RF MEMS开关原理 | 第18-21页 |
| ·电容式RF MEMS开关性能参数分析 | 第21-24页 |
| ·开关的RLC参数 | 第21-23页 |
| ·开关的S参数 | 第23-24页 |
| ·电容式RF MEMS开关结构参数构建 | 第24-30页 |
| ·CPW传输线设计 | 第24-27页 |
| ·开关膜片与介电层设计 | 第27-30页 |
| ·仿真分析软件介绍 | 第30-32页 |
| ·高频电路仿真软件ADS | 第30-31页 |
| ·高频电磁场仿真软件HFSS | 第31页 |
| ·热、应力仿真软件e Physics | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 3 自驱动阈值功率建模与边缘场效应表征 | 第33-45页 |
| ·开关自驱动阈值功率建模 | 第33-34页 |
| ·膜片边缘场效应的表征 | 第34-41页 |
| ·优值构建 | 第34-35页 |
| ·优值模型的仿真验证 | 第35-41页 |
| ·提高开关自驱动阈值功率的方案 | 第41-44页 |
| ·减小膜片宽度 | 第42-43页 |
| ·减小膜片厚度 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 4 自锁阈值功率建模与down态电容退化表征 | 第45-55页 |
| ·开关自锁阈值功率建模 | 第45-47页 |
| ·开关down态电容退化的表征 | 第47-53页 |
| ·表征方法 | 第47-49页 |
| ·介电层光滑时开关等效电路的确定 | 第49-50页 |
| ·介电层的粗糙度定义 | 第50-52页 |
| ·改变粗糙度对开关down态电容的影响 | 第52-53页 |
| ·提高开关自锁阈值功率的方案 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 5 电容式RF MEMS开关自热效应研究 | 第55-68页 |
| ·膜片上耗散功率的计算与表征 | 第55-56页 |
| ·电容式RF MEMS开关热传递模式分析 | 第56-57页 |
| ·开关自热效应多物理场协同仿真 | 第57-65页 |
| ·“电磁-热”耦合 | 第59-63页 |
| ·“热-应力”耦合 | 第63-65页 |
| ·开关驱动电压随输入功率漂移的表征 | 第65-66页 |
| ·减小开关自热效应的方案 | 第66-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 结论 | 第68-70页 |
| 1 论文主要工作总结 | 第68-69页 |
| 2 后续工作展望 | 第69页 |
| 3 后续工作展望 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 附录１ | 第77-79页 |
| 附录２ | 第79-82页 |
| 攻读硕士期间科研成果 | 第82页 |
