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线形离子阱中单离子的相干操控和海森堡误差—扰动关系的验证

致谢第1-6页
摘要第6-7页
Abstract第7-12页
第一章 引言第12-18页
   ·量子计算机简介第12-14页
   ·离子阱技术简介第14-15页
   ·本文的结构和主要内容第15-18页
第二章 离子阱基本理论第18-30页
   ·线形离子阱第18-26页
     ·囚禁原理第18-22页
     ·线形离子阱中离子的运动第22-25页
     ·膺势第25-26页
   ·线形离子晶体第26-30页
第三章 离子与激光的相互作用第30-38页
   ·离子与激光的相互作用第30-33页
     ·哈密顿量第30-32页
     ·Lamb-Dicke区第32-33页
   ·激光冷却第33-38页
     ·Doppler冷却第33-35页
     ·边带冷却第35-38页
第四章 线形离子阱实验装置与技术第38-52页
   ·线形离子阱、真空腔和激光器第39-42页
   ·荧光探测系统第42-43页
   ·计算机控制系统的优化与改进第43-52页
第五章 单离子的相干操控第52-66页
   ·~(40)Ca~+能级介绍第52-53页
   ·环境磁场补偿第53-54页
   ·Zeeman谱第54-58页
   ·边带冷却第58-61页
   ·单离子的相干操控第61-66页
第六章 海森堡误差-扰动关系的验证第66-72页
第七章 总结和展望第72-74页
附录A 常用物理常数第74-75页
附录B ~(40)Ca~+能级结构图第75-76页
参考文献第76-82页
作者简介第82-83页
发表文章目录第83页

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