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共溅射生长NbTiN超导超薄薄膜

中文摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第一章 序言第9-17页
   ·超导材料的基本性质第9-12页
   ·NbN/NbTiN的研究现状第12-14页
   ·二氧化硅的研究现状第14-15页
   ·研究内容和意义第15-17页
     ·研究意义第15-16页
     ·研究内容第16-17页
第二章 表征原理第17-27页
   ·磁控溅射技术工作原理第17-18页
   ·薄膜样品的分析表征方法第18-27页
     ·扫描电子显微镜(SEM)第18-19页
     ·X射线衍射仪第19-22页
     ·原子力显微镜(AFM)第22-23页
     ·D8反射仪第23-24页
     ·综合物理性质测量系统(PPMS)第24-25页
     ·水接触角的测量第25-26页
     ·膜厚和折射率的测量第26-27页
第三章 250nm-PSG薄膜的制备和性能表征第27-39页
   ·实验方法和流程第27-32页
     ·实验的材料第27页
     ·实验的步骤第27-28页
     ·基片的清洗第28-29页
     ·扩散流程第29-30页
     ·PN结简原理简介第30-31页
     ·在单晶硅上快速生长PSG层第31-32页
   ·SiO_2薄膜的分析表征方法第32-38页
     ·磷扩散的原理介绍第32-33页
     ·SEM对截面结构的测试第33-35页
     ·XRD对薄膜结构和结晶性的测试第35-36页
     ·XPS对薄膜进行价态定性分析第36-37页
     ·反射率测试仪对薄膜进行的测试分析第37-38页
     ·接触角测试亲水性第38页
   ·本章小结第38-39页
第四章 Si基SiO_2过渡层对NbTiN薄膜结构和超导性能的影响第39-57页
   ·薄膜的制备步骤和方法第40-42页
     ·直流磁控溅射设备第40页
     ·实验的材料第40-41页
     ·实验的步骤第41页
     ·NbTiN薄膜的制备第41-42页
   ·磁控溅射制备NbN、TiN薄膜以及性能表征第42-50页
     ·溅射时I-V曲线第42-44页
     ·沉积时氮氩流量比对NbN薄膜的结构和结晶性能的影响第44-46页
     ·沉积时压强对NbN薄膜的结构和结晶性能的影响第46-48页
     ·沉积时氮氩流量比对TiN薄膜的结构和结晶性能的影响第48-50页
   ·硅基SiO_2过渡层对共溅射生长的NbTiN薄膜结构和超导性能的影响第50-55页
     ·XRD测试结果第50-51页
     ·PPMS的测试结果第51-53页
     ·AFM测试结果第53页
     ·TEM测试结果第53-55页
   ·本章小结第55-57页
第五章 总结与展望第57-59页
   ·总结第57-58页
   ·展望第58-59页
参考文献第59-63页
攻读硕士学位期间公开发表的论文及科研成果第63-64页
致谢第64-65页

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