中文摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-9页 |
第一章 序言 | 第9-17页 |
·超导材料的基本性质 | 第9-12页 |
·NbN/NbTiN的研究现状 | 第12-14页 |
·二氧化硅的研究现状 | 第14-15页 |
·研究内容和意义 | 第15-17页 |
·研究意义 | 第15-16页 |
·研究内容 | 第16-17页 |
第二章 表征原理 | 第17-27页 |
·磁控溅射技术工作原理 | 第17-18页 |
·薄膜样品的分析表征方法 | 第18-27页 |
·扫描电子显微镜(SEM) | 第18-19页 |
·X射线衍射仪 | 第19-22页 |
·原子力显微镜(AFM) | 第22-23页 |
·D8反射仪 | 第23-24页 |
·综合物理性质测量系统(PPMS) | 第24-25页 |
·水接触角的测量 | 第25-26页 |
·膜厚和折射率的测量 | 第26-27页 |
第三章 250nm-PSG薄膜的制备和性能表征 | 第27-39页 |
·实验方法和流程 | 第27-32页 |
·实验的材料 | 第27页 |
·实验的步骤 | 第27-28页 |
·基片的清洗 | 第28-29页 |
·扩散流程 | 第29-30页 |
·PN结简原理简介 | 第30-31页 |
·在单晶硅上快速生长PSG层 | 第31-32页 |
·SiO_2薄膜的分析表征方法 | 第32-38页 |
·磷扩散的原理介绍 | 第32-33页 |
·SEM对截面结构的测试 | 第33-35页 |
·XRD对薄膜结构和结晶性的测试 | 第35-36页 |
·XPS对薄膜进行价态定性分析 | 第36-37页 |
·反射率测试仪对薄膜进行的测试分析 | 第37-38页 |
·接触角测试亲水性 | 第38页 |
·本章小结 | 第38-39页 |
第四章 Si基SiO_2过渡层对NbTiN薄膜结构和超导性能的影响 | 第39-57页 |
·薄膜的制备步骤和方法 | 第40-42页 |
·直流磁控溅射设备 | 第40页 |
·实验的材料 | 第40-41页 |
·实验的步骤 | 第41页 |
·NbTiN薄膜的制备 | 第41-42页 |
·磁控溅射制备NbN、TiN薄膜以及性能表征 | 第42-50页 |
·溅射时I-V曲线 | 第42-44页 |
·沉积时氮氩流量比对NbN薄膜的结构和结晶性能的影响 | 第44-46页 |
·沉积时压强对NbN薄膜的结构和结晶性能的影响 | 第46-48页 |
·沉积时氮氩流量比对TiN薄膜的结构和结晶性能的影响 | 第48-50页 |
·硅基SiO_2过渡层对共溅射生长的NbTiN薄膜结构和超导性能的影响 | 第50-55页 |
·XRD测试结果 | 第50-51页 |
·PPMS的测试结果 | 第51-53页 |
·AFM测试结果 | 第53页 |
·TEM测试结果 | 第53-55页 |
·本章小结 | 第55-57页 |
第五章 总结与展望 | 第57-59页 |
·总结 | 第57-58页 |
·展望 | 第58-59页 |
参考文献 | 第59-63页 |
攻读硕士学位期间公开发表的论文及科研成果 | 第63-64页 |
致谢 | 第64-65页 |