| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第1章 引言 | 第11-14页 |
| ·研究进展 | 第11-13页 |
| ·本文研究内容与意义 | 第13-14页 |
| 第2章 理论计算方法 | 第14-19页 |
| ·密度泛函理论 | 第14-18页 |
| ·Born-Oppenheimer 近似 | 第14页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第14-15页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第15-17页 |
| ·交换相关泛函 | 第17-18页 |
| ·CASTEP 程序包 | 第18-19页 |
| 第3章 不同浓度的 Co 掺杂 CdS 引起的新奇光学性质分析 | 第19-31页 |
| ·计算方法和模型 | 第19-20页 |
| ·计算方法 | 第19页 |
| ·模型 | 第19-20页 |
| ·结果和讨论 | 第20-29页 |
| ·CdS 和 Co 掺杂 CdS 的晶格结构和磁性分析 | 第20-21页 |
| ·介电函数和光电导 | 第21-25页 |
| ·吸收系数、反射系数和透射系数 | 第25-27页 |
| ·复折射率函数 | 第27-29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 第4章 通过调节 N、Co 和 Na 的掺杂浓度提高 TiO_2的吸收系数 | 第31-40页 |
| ·计算方法和模型 | 第31页 |
| ·结果和讨论 | 第31-36页 |
| ·TiO_2和掺杂 TiO_2晶体结构 | 第31-32页 |
| ·掺杂引起的光学性质的变化 | 第32-36页 |
| ·本章小结 | 第36-40页 |
| 第5章 金属和非金属元素掺杂改进γ-Si_3N_4的性质 | 第40-69页 |
| ·过渡金属元素掺杂 | 第40-50页 |
| ·计算模型和方法 | 第40-42页 |
| ·本征和掺杂γ-Si_3N_4的结构特征 | 第42-43页 |
| ·Fe@Si-O 的光学性质 | 第43-44页 |
| ·Co@Si-O 的光学性质 | 第44页 |
| ·Ni@Si-O 的光学性质 | 第44-50页 |
| ·非金属元素掺杂[61] | 第50-59页 |
| ·计算模型和细节 | 第50页 |
| ·可靠的掺杂方法的选择 | 第50-51页 |
| ·通过 C 掺杂来降低γ-Si_3N_4的带隙 | 第51-52页 |
| ·通过掺杂 O 使γ-Si_3N_4变为导体 | 第52-53页 |
| ·通过 F 掺杂引入的杂质能级来降低γ-Si_3N_4的带隙 | 第53-59页 |
| ·稀土元素 Ce 掺杂 | 第59-67页 |
| ·计算模型和细节 | 第59页 |
| ·Ce 掺杂γ-Si_3N_4的晶体结构特征 | 第59-60页 |
| ·掺杂引起的电子性质的变化 | 第60-61页 |
| ·掺杂引起的光学性质的变化 | 第61-67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| 第6章 总结与展望 | 第69-71页 |
| ·论文的主要内容总结 | 第69-70页 |
| ·展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 攻读硕士学位期间取得的科研成果 | 第77页 |
