| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 主要符号表 | 第10-11页 |
| 第一章 前言 | 第11-25页 |
| ·半导体光催化概述 | 第11-18页 |
| ·半导体光催化剂的研究背景 | 第11-12页 |
| ·光催化技术面临的问题 | 第12-13页 |
| ·半导体光催化的基本原理 | 第13-15页 |
| ·光催化反应的影响因素 | 第15-18页 |
| ·可见光催化剂的研究进展 | 第18-19页 |
| ·宽禁带半导体的改性研究 | 第18页 |
| ·窄禁带半导体的研究现状 | 第18-19页 |
| ·铋系列半导体光催化剂的研究现状 | 第19-23页 |
| ·概述 | 第19-20页 |
| ·钒酸铋系光催化剂 | 第20-23页 |
| ·本文立题依据和研究方案 | 第23-25页 |
| 第二章 实验部分 | 第25-36页 |
| ·主要实验药品及仪器 | 第25-27页 |
| ·主要实验药品 | 第25-26页 |
| ·主要实验仪器 | 第26-27页 |
| ·实验内容 | 第27-36页 |
| ·催化剂的制备 | 第27-29页 |
| ·催化剂的物性表征 | 第29-31页 |
| ·光催化性能评价 | 第31-34页 |
| ·液相光催化机理研究 | 第34-36页 |
| 第三章 复合相钒酸铋的可控合成及性能研究 | 第36-45页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·复合相钒酸铋的制备及物相分析 | 第36-39页 |
| ·复合相钒酸铋的光催化能力及其稳定性测试 | 第39-42页 |
| ·复合相钒酸铋的活性机理研究 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 钒酸铋片的晶相转变机理及制备优化 | 第45-55页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·不同制备条件对晶相转变的影响 | 第45-51页 |
| ·不同原料溶剂对BiVO_4晶相转变的影响 | 第45-47页 |
| ·不同反应时间对BiVO_4晶相转变的影响 | 第47-51页 |
| ·不同晶相对光催化降解RhB的影响 | 第51-54页 |
| ·不同原料溶剂制备的钒酸铋的光催化活性 | 第52页 |
| ·不同晶相钒酸铋片的光催化活性 | 第52-53页 |
| ·钒酸铋片(s-m相)的光催化活性 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 钒酸铋的晶面修饰与改性 | 第55-71页 |
| ·引言 | 第55页 |
| ·表面C修饰对于z-t相BiVO_4组成和光催化活性的影响 | 第55-58页 |
| ·表面C修饰对于s-m相BiVO_4组成和光催化活性的影响 | 第58-67页 |
| ·样品的组成和表面分析 | 第58-61页 |
| ·光催化活性测试 | 第61-63页 |
| ·稳定性测试 | 第63-66页 |
| ·机理探索 | 第66-67页 |
| ·其他碳修饰表面的样品比较 | 第67-69页 |
| ·拉曼分析 | 第68-69页 |
| ·光催化活性测试 | 第69页 |
| ·本章小结 | 第69-71页 |
| 结论与展望 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 个人简历 | 第81-82页 |
| 在学期间已发表(待发表)论文 | 第82页 |