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两种掺杂半导体材料的制备及光催化性能研究

提要第1-5页
摘要第5-8页
Abstract第8-16页
第一章 绪论第16-46页
   ·引言第16页
   ·半导体光催化技术的应用第16-21页
     ·半导体光催化技术与抗菌第17-18页
     ·半导体光催化分解水制氢第18-20页
     ·半导体光催化与水处理第20-21页
     ·半导体光催化与空气净化第21页
   ·半导体光催化技术作用原理第21-27页
     ·半导体光催化技术的相关介绍及基本原理第21-23页
     ·半导体光催化分解水制氢反应机理第23-26页
     ·半导体光催化技术降解废水中有机物反应机理第26-27页
   ·半导体光催化技术的现状和研究进展第27-28页
   ·提高半导体光催化活性的途径第28-32页
     ·制备纳米级的半导体光催化材料第28-29页
     ·金属离子掺杂第29页
     ·非金属离子掺杂第29-30页
     ·半导体复合第30-32页
     ·表面光敏化第32页
   ·制备纳米半导体的方法第32-43页
     ·溶胶-凝胶法第33-36页
     ·水/溶剂热法第36-39页
     ·化学气相沉积法第39-41页
     ·微波法第41-43页
   ·本论文的选题意义和研究内容第43-46页
第二章 C 掺杂球状 TiO_2材料的制备及性能研究第46-62页
   ·引言第46-48页
   ·实验部分第48-50页
     ·化学试剂和原料第48页
     ·测试仪器与表征第48-49页
     ·样品合成步骤第49-50页
   ·实验结果与讨论第50-60页
     ·XRD第50-51页
     ·SEM 表征第51-53页
     ·TEM 表征第53页
     ·氮气吸附脱附表征第53-55页
     ·XPS 表征第55-56页
     ·UV-Vis 表征第56-57页
     ·光催化性能表征第57-59页
     ·乙酸控制球状 TiO_2形成机理探索第59-60页
   ·本章小结第60-62页
第三章 C 掺杂 Nb_2O_5材料的制备及性能研究第62-94页
   ·引言第62-63页
   ·实验部分第63-66页
     ·化学试剂和原料第63页
     ·测试仪器与表征第63-65页
     ·实验过程第65-66页
   ·实验结果分析与讨论第66-74页
     ·XRD 表征第66页
     ·TEM 表征第66-68页
     ·XPS 表征第68-69页
     ·氮气吸附脱附表征第69-70页
     ·UV-Vis 表征第70-71页
     ·光催化性能表征第71-73页
     ·小结第73-74页
   ·合成 C-Nb_2O_5及其光催化活性影响因素第74-91页
     ·煅烧温度对于 C-Nb_2O_5光催化活性的影响第75-80页
     ·晶化温度对于 C-Nb_2O_5光催化活性的影响第80-84页
     ·乙酸加入量对于 C-Nb_2O_5光催化活性的影响第84-88页
     ·晶化时间对于 C-Nb_2O_5光催化活性的影响第88-91页
   ·本章小结第91-94页
第四章 C, F 共掺杂 Nb_2O_5材料的制备及性能研究第94-108页
   ·前言第94-95页
   ·实验部分第95-97页
     ·化学试剂和原料第95页
     ·测试仪器与表征第95-96页
     ·催化剂制备第96-97页
   ·实验结果与讨论第97-107页
     ·XRD 表征第97-98页
     ·SEM 表征第98-100页
     ·TEM 表征第100-101页
     ·BET 和介孔孔径分析第101-102页
     ·XPS 表征第102-104页
     ·UV-Vis 表征第104-105页
     ·光降解表征第105-107页
   ·本章小结第107-108页
第五章 结论第108-112页
参考文献第112-140页
攻读博士学位期间发表论文第140-142页
致谢第142页

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