提要 | 第1-5页 |
摘要 | 第5-8页 |
Abstract | 第8-16页 |
第一章 绪论 | 第16-46页 |
·引言 | 第16页 |
·半导体光催化技术的应用 | 第16-21页 |
·半导体光催化技术与抗菌 | 第17-18页 |
·半导体光催化分解水制氢 | 第18-20页 |
·半导体光催化与水处理 | 第20-21页 |
·半导体光催化与空气净化 | 第21页 |
·半导体光催化技术作用原理 | 第21-27页 |
·半导体光催化技术的相关介绍及基本原理 | 第21-23页 |
·半导体光催化分解水制氢反应机理 | 第23-26页 |
·半导体光催化技术降解废水中有机物反应机理 | 第26-27页 |
·半导体光催化技术的现状和研究进展 | 第27-28页 |
·提高半导体光催化活性的途径 | 第28-32页 |
·制备纳米级的半导体光催化材料 | 第28-29页 |
·金属离子掺杂 | 第29页 |
·非金属离子掺杂 | 第29-30页 |
·半导体复合 | 第30-32页 |
·表面光敏化 | 第32页 |
·制备纳米半导体的方法 | 第32-43页 |
·溶胶-凝胶法 | 第33-36页 |
·水/溶剂热法 | 第36-39页 |
·化学气相沉积法 | 第39-41页 |
·微波法 | 第41-43页 |
·本论文的选题意义和研究内容 | 第43-46页 |
第二章 C 掺杂球状 TiO_2材料的制备及性能研究 | 第46-62页 |
·引言 | 第46-48页 |
·实验部分 | 第48-50页 |
·化学试剂和原料 | 第48页 |
·测试仪器与表征 | 第48-49页 |
·样品合成步骤 | 第49-50页 |
·实验结果与讨论 | 第50-60页 |
·XRD | 第50-51页 |
·SEM 表征 | 第51-53页 |
·TEM 表征 | 第53页 |
·氮气吸附脱附表征 | 第53-55页 |
·XPS 表征 | 第55-56页 |
·UV-Vis 表征 | 第56-57页 |
·光催化性能表征 | 第57-59页 |
·乙酸控制球状 TiO_2形成机理探索 | 第59-60页 |
·本章小结 | 第60-62页 |
第三章 C 掺杂 Nb_2O_5材料的制备及性能研究 | 第62-94页 |
·引言 | 第62-63页 |
·实验部分 | 第63-66页 |
·化学试剂和原料 | 第63页 |
·测试仪器与表征 | 第63-65页 |
·实验过程 | 第65-66页 |
·实验结果分析与讨论 | 第66-74页 |
·XRD 表征 | 第66页 |
·TEM 表征 | 第66-68页 |
·XPS 表征 | 第68-69页 |
·氮气吸附脱附表征 | 第69-70页 |
·UV-Vis 表征 | 第70-71页 |
·光催化性能表征 | 第71-73页 |
·小结 | 第73-74页 |
·合成 C-Nb_2O_5及其光催化活性影响因素 | 第74-91页 |
·煅烧温度对于 C-Nb_2O_5光催化活性的影响 | 第75-80页 |
·晶化温度对于 C-Nb_2O_5光催化活性的影响 | 第80-84页 |
·乙酸加入量对于 C-Nb_2O_5光催化活性的影响 | 第84-88页 |
·晶化时间对于 C-Nb_2O_5光催化活性的影响 | 第88-91页 |
·本章小结 | 第91-94页 |
第四章 C, F 共掺杂 Nb_2O_5材料的制备及性能研究 | 第94-108页 |
·前言 | 第94-95页 |
·实验部分 | 第95-97页 |
·化学试剂和原料 | 第95页 |
·测试仪器与表征 | 第95-96页 |
·催化剂制备 | 第96-97页 |
·实验结果与讨论 | 第97-107页 |
·XRD 表征 | 第97-98页 |
·SEM 表征 | 第98-100页 |
·TEM 表征 | 第100-101页 |
·BET 和介孔孔径分析 | 第101-102页 |
·XPS 表征 | 第102-104页 |
·UV-Vis 表征 | 第104-105页 |
·光降解表征 | 第105-107页 |
·本章小结 | 第107-108页 |
第五章 结论 | 第108-112页 |
参考文献 | 第112-140页 |
攻读博士学位期间发表论文 | 第140-142页 |
致谢 | 第142页 |