| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| ·研究背景及意义 | 第11-13页 |
| ·硅疲劳可靠性的研究现状 | 第13-19页 |
| ·测试装置和试样结构 | 第13-18页 |
| ·硅疲劳寿命建模 | 第18-19页 |
| ·杂质对单晶硅力学特性的影响 | 第19页 |
| ·提出问题 | 第19-22页 |
| ·问题分析 | 第19页 |
| ·多因素、单因素与掺杂 | 第19-21页 |
| ·试样结构 | 第21页 |
| ·疲劳寿命概率模型 | 第21-22页 |
| ·研究内容和思路 | 第22-23页 |
| 第二章 试样结构设计和制备及片外弯曲测试装置设计 | 第23-44页 |
| ·试样结构设计 | 第23-31页 |
| ·试样结构 | 第23-24页 |
| ·力学分析 | 第24-31页 |
| ·试样制备 | 第31-37页 |
| ·光刻掩膜版设计 | 第31-34页 |
| ·工艺流程 | 第34-36页 |
| ·误差讨论 | 第36-37页 |
| ·片外弯曲测试装置设计 | 第37-42页 |
| ·总体构架 | 第37-38页 |
| ·各功能模块介绍 | 第38-41页 |
| ·可用性讨论 | 第41-42页 |
| ·初步测试 | 第42-43页 |
| ·测试曲线与仿真曲线的对比 | 第42-43页 |
| ·测试曲线的线性度 | 第43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第三章 杂质磷对单晶硅弯曲强度的影响分析 | 第44-53页 |
| ·弯曲强度测试 | 第44-49页 |
| ·测试方案 | 第44-45页 |
| ·测试结果 | 第45-49页 |
| ·结果分析 | 第49-51页 |
| ·数据对比 | 第49-50页 |
| ·掺磷浓度对单晶硅弯曲强度的影响 | 第50-51页 |
| ·讨论 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 杂质磷对单晶硅疲劳特性的影响分析 | 第53-66页 |
| ·弯曲疲劳测试 | 第53-56页 |
| ·实验方案 | 第53页 |
| ·测试结果 | 第53-55页 |
| ·初步分析 | 第55-56页 |
| ·硅疲劳过程建模理论与方法 | 第56-61页 |
| ·基本思想和理论 | 第56页 |
| ·Weibull 分布、Griffith 断裂理论及 Paris 公式 | 第56-59页 |
| ·疲劳过程建模 | 第59-61页 |
| ·杂质磷对单晶硅疲劳特性的影响分析 | 第61-63页 |
| ·模型求解 | 第61-62页 |
| ·基本规律 | 第62-63页 |
| ·讨论 | 第63-65页 |
| ·单晶硅疲劳可靠性设计 | 第65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 结论与展望 | 第66-67页 |
| ·工作总结及研究结论 | 第66页 |
| ·研究展望 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 作者在学习期间取得的学术成果 | 第74页 |