脉冲阴极弧放电制备PI基低辐射薄膜及其性能研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-24页 |
| ·研究背景 | 第11-12页 |
| ·低辐射薄膜的特点与膜系结构 | 第12-18页 |
| ·低辐射薄膜的特点 | 第12-17页 |
| ·低辐射薄膜的膜系结构 | 第17-18页 |
| ·低辐射薄膜的制备技术 | 第18-21页 |
| ·常见镀膜技术 | 第18-20页 |
| ·脉冲阴极弧离子镀技术 | 第20-21页 |
| ·国内外研究现状及发展趋势 | 第21-22页 |
| ·本文研究工作 | 第22-24页 |
| 第二章 镀膜装置及改造 | 第24-32页 |
| ·脉冲阴极弧放电装置及其伏安特性 | 第24-29页 |
| ·脉冲阴极弧放电装置及原理 | 第24-26页 |
| ·脉冲阴极弧放电伏安特性曲线 | 第26-29页 |
| ·直流溅射原理及装置 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-32页 |
| 第三章 柔性基底低辐射薄膜的制备 | 第32-40页 |
| ·低辐射薄膜的设计 | 第32-35页 |
| ·柔性基底的确定 | 第32-33页 |
| ·低辐射薄膜金属层的选用 | 第33-34页 |
| ·低辐射薄膜介质层的选用 | 第34页 |
| ·低辐射薄膜阻挡层的选用 | 第34-35页 |
| ·Ag系低辐射薄膜的制备 | 第35-39页 |
| ·制备过程 | 第35-36页 |
| ·镀膜参数的控制 | 第36-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 柔性基底低辐射薄膜的性能及分析 | 第40-59页 |
| ·物理性能 | 第40-43页 |
| ·薄膜表面形貌 | 第40-41页 |
| ·薄膜厚度 | 第41-43页 |
| ·光学性能 | 第43-51页 |
| ·聚酰亚胺基底的性能 | 第44-46页 |
| ·单层Ag金属膜的性能 | 第46-47页 |
| ·单层TiO_2介质膜的光学特性 | 第47-48页 |
| ·复合膜的光学特性 | 第48-51页 |
| ·力学性能 | 第51-58页 |
| ·薄膜生长应力 | 第51-52页 |
| ·薄膜现象分析 | 第52-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 总结与展望 | 第59-61页 |
| ·研究工作总结 | 第59-60页 |
| ·今后工作的展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 硕士期间发表论文 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
