| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-22页 |
| ·智能材料 | 第9-13页 |
| ·形状记忆智能材料 | 第9-10页 |
| ·电/磁流变体智能材料 | 第10-11页 |
| ·磁致伸缩智能材料 | 第11页 |
| ·光纤智能材料 | 第11-12页 |
| ·压电智能材料 | 第12-13页 |
| ·锆钛酸铅(PZT)压电材料 | 第13-16页 |
| ·锆钛酸铅(PZT)材料的发展状况 | 第13-14页 |
| ·锆钛酸铅(PZT)材料的结构与性能 | 第14-16页 |
| ·锆钛酸铅(PZT)材料的应用 | 第16-20页 |
| ·PZT材料在频率器件中的应用 | 第17页 |
| ·PZT材料在超声波器件中的应用 | 第17-18页 |
| ·PZT材料发生器元件的应用 | 第18-19页 |
| ·PZT材料在振动和噪声控制中的应用 | 第19-20页 |
| ·PZT复合材料的应用 | 第20页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第20-22页 |
| 第2章 Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47)O_3薄膜的制备及退火 | 第22-32页 |
| ·压电薄膜的制备方法 | 第22-24页 |
| ·Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3薄膜的制备 | 第24-31页 |
| ·Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3前驱液的配制 | 第24-26页 |
| ·PZT凝胶热演化过程 | 第26-28页 |
| ·Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3薄膜退火工艺的选择 | 第28-29页 |
| ·Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3薄膜的制备流程 | 第29-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 退火工艺对Pb(Zr_(0.53).Ti_(0.47))O_3薄膜结构及性能的影响 | 第32-48页 |
| ·退火工艺对薄膜结晶结构的影响 | 第32-34页 |
| ·退火工艺对薄膜表面形貌及晶粒尺寸的影响 | 第34-38页 |
| ·退火工艺对薄膜断面形貌及厚度的影响 | 第38-41页 |
| ·退火工艺对薄膜铁电性能的影响 | 第41-46页 |
| ·薄膜参数和测试仪器 | 第41-42页 |
| ·退火工艺对薄膜铁电性能的影响 | 第42-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第4章 PZT薄膜微传感器的制备及研究 | 第48-53页 |
| ·微电子机械系统(MEMS) | 第48-49页 |
| ·微传感器 | 第49-50页 |
| ·PZT薄膜微传感器的设计与制备 | 第50-51页 |
| ·PZT薄膜微传感器的减振效果分析 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第5章 结论与展望 | 第53-56页 |
| ·结论 | 第53-54页 |
| ·展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 附录 | 第61页 |
