| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-15页 |
| ·光伏材料的发展和研究意义 | 第9-11页 |
| ·CIGS 电池的研究及产品化的现状 | 第11-13页 |
| ·CIGS 产品化存在的问题 | 第13页 |
| ·本文的研究内容 | 第13-15页 |
| 2 太阳能电池的原理和干法制备的生长机理 | 第15-29页 |
| ·太阳能电池的基本原理 | 第15-18页 |
| ·p-n 结的形成 | 第15-16页 |
| ·p-n 结的光生伏特效应 | 第16页 |
| ·太阳能电池的性能参数 | 第16-18页 |
| ·干法制备的生长机理 | 第18-29页 |
| ·磁控溅射的基本原理 | 第18-20页 |
| ·溅射薄膜的生长机理 | 第20-22页 |
| ·CIGS 各层薄膜的表征 | 第22-29页 |
| 3 CIGS 背电极Mo 薄膜的研究 | 第29-35页 |
| ·Mo 薄膜应用在CIGS 电池的优越性 | 第29页 |
| ·Mo 薄膜的制备过程 | 第29-30页 |
| ·实验参数对Mo 薄膜沉积速率的影响 | 第30-31页 |
| ·实验参数对Mo 薄膜电学性能的影响 | 第31-32页 |
| ·实验参数对Mo 薄膜表面形貌的影响 | 第32-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 4 Cu(In_(0.7)Ga_(0.3))Se_2 吸收层与缓冲层ZnS 的研究 | 第35-41页 |
| ·Cu(In_(0.7)Ga_(0.3))Se_2吸收层的特性 | 第35页 |
| ·Cu(In_(0.7)Ga_(0.3))Se_2 薄膜的制备和性能分析 | 第35-37页 |
| ·缓冲层ZnS 的基本性能和应用 | 第37-39页 |
| ·ZnS 薄膜的准备及分析 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 5 Cu(In_(0.7)Ga_(0.3))Se_2 窗口层ZAO 薄膜的研究 | 第41-51页 |
| ·窗口层ZAO 薄膜的基本特性和应用 | 第41页 |
| ·ZAO 薄膜制备过程 | 第41-42页 |
| ·实验参数对薄膜沉积速率的影响 | 第42-44页 |
| ·实验参数对ZAO 薄膜结晶性能的影响 | 第44-46页 |
| ·实验参数对ZAO 薄膜导电性能的影响 | 第46-48页 |
| ·实验参数对ZAO 薄膜光学性能的影响 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 6 CIGS 电池器件的干法制备研究 | 第51-55页 |
| ·器件制备 | 第51-53页 |
| ·器件的性能分析 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 7 总结与展望 | 第55-57页 |
| ·总结 | 第55页 |
| ·展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第62-63页 |
