摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-10页 |
第1章 绪论 | 第10-30页 |
·铁电材料和铁电存储器 | 第10-13页 |
·铁电体简介 | 第10-11页 |
·铁电存储器分类和原理简介 | 第11-13页 |
·铁电体纳米结构形成方法简介 | 第13-21页 |
·探针法 | 第13-17页 |
·模板法 | 第17-19页 |
·自组装法 | 第19-21页 |
·PS-b-P4VP简介 | 第21-24页 |
·两亲性嵌段共聚物 | 第21-22页 |
·PS-b-P4VP自组装性质 | 第22-24页 |
·论文的研究意义及研究内容 | 第24-26页 |
参考文献 | 第26-30页 |
第2章 实验部分 | 第30-38页 |
·PbTiO_3纳米阵列制备方法 | 第30-31页 |
·实验药品 | 第30页 |
·自主装法制备PbTiO_3纳米阵列的基本原理 | 第30-31页 |
·自主装法制备PbTiO_3纳米阵列的工艺流程 | 第31页 |
·化学溶液法制备Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)薄膜 | 第31-33页 |
·实验药品 | 第32页 |
·化学溶液法制备薄膜基本原理 | 第32页 |
·BNdT薄膜制备过程 | 第32-33页 |
·样品结构和性能表征方法 | 第33-36页 |
·微结构表征 | 第33页 |
·表面形貌测试 | 第33-35页 |
·铁电极化性质测试 | 第35页 |
·电学性质测试 | 第35-36页 |
·本章小结 | 第36-37页 |
参考文献 | 第37-38页 |
第3章 PbTiO_3纳米晶制备工艺研究和表征 | 第38-57页 |
·PS-b-P4VP单分散性 | 第38-40页 |
·PbTiO_3纳米晶制备工艺研究 | 第40-50页 |
·浓度对PbTiO_3纳米阵列形貌影响 | 第40-42页 |
·静置对PbTiO_3纳米阵列形貌影响 | 第42-45页 |
·衬底对PbTiO_3纳米阵列形貌影响 | 第45-48页 |
·退火条件对PbTiO_3纳米晶形貌影响 | 第48-50页 |
·PTO纳米晶的结构、形貌和电学性能表征 | 第50-55页 |
·XRD分析 | 第50页 |
·XPS分析 | 第50-52页 |
·铁电极化性质 | 第52-54页 |
·阻变性质 | 第54-55页 |
·本章小结 | 第55-56页 |
参考文献 | 第56-57页 |
第4章 Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)薄膜极化保持性能研究 | 第57-65页 |
·引言 | 第57页 |
·90nm厚BNdT薄膜的极化保持性能 | 第57-60页 |
·厚度对BNdT薄膜铁电极化保持性能的影响 | 第60-62页 |
·极化参数对BNdT薄膜铁电极化保持性能的影响 | 第62页 |
·本章小结 | 第62-64页 |
参考文献 | 第64-65页 |
结论与展望 | 第65-67页 |
Publication List | 第67-68页 |
致谢 | 第68-69页 |