集成光波导微环谐振腔的电光调制特性研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| ·SOI 集成导波光学的发展 | 第11-12页 |
| ·调制器的国内外研究现状 | 第12-15页 |
| ·国际研究现状 | 第12-14页 |
| ·国内研究现状 | 第14-15页 |
| ·本文的主要研究内容以及创新点 | 第15-17页 |
| 第二章 SOI 纳米波导微环谐振腔基本特性分析 | 第17-29页 |
| ·微环谐振腔基本结构与耦合谐振条件 | 第17-21页 |
| ·微环谐振腔基本结构 | 第17-18页 |
| ·倏逝波耦合原理 | 第18-19页 |
| ·微环形谐振腔性能分析—散射矩阵法 | 第19-21页 |
| ·谐振腔主要性能参数 | 第21-22页 |
| ·自由波谱范围 | 第21页 |
| ·品质因数和精细度 | 第21-22页 |
| ·有效折射系数 | 第22页 |
| ·光波导单模态与高光场局域仿真 | 第22-26页 |
| ·光波导模式 | 第22-24页 |
| ·光束传输法（BPM）方法简介 | 第24-26页 |
| ·脊型纳米光波导与微谐振腔的设计仿真分析 | 第26-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 纳米波导微环谐振腔调制器电学结构特性分析 | 第29-40页 |
| ·光波导调制器件类型 | 第29-30页 |
| ·热光调制器件 | 第29-30页 |
| ·电光调制器件 | 第30页 |
| ·SOI 谐振腔电光调制器件基本特性 | 第30-39页 |
| ·P-N 结及 P-I-N 结二极管理论 | 第30-32页 |
| ·Sentaurus 二极管特性仿真 | 第32-35页 |
| ·硅半导体材料自由载流子色散效应与折射率关系 | 第35-36页 |
| ·外电压信号驱动与载流子浓度变化 | 第36-37页 |
| ·载流子效应引起的微环谐振腔谐振频移 | 第37-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 调制器结构设计与工艺制备 | 第40-56页 |
| ·调制器总体结构设计与制备流程 | 第40-42页 |
| ·器件制备中的关键工艺介绍 | 第42-45页 |
| ·电子束光刻（EBL） | 第42页 |
| ·ICP 等离子刻蚀 | 第42-43页 |
| ·退火处理 | 第43-44页 |
| ·离子注入 | 第44-45页 |
| ·光刻 | 第45页 |
| ·SOI 脊型纳米波导与谐振腔的工艺制备 | 第45-47页 |
| ·纳米波导微环谐振腔结构的优化后处理 | 第47-49页 |
| ·P-I-N 结构工艺制备的仿真与实现 | 第49-53页 |
| ·离子注入的仿真分析与设计 | 第49-51页 |
| ·芯片级 P-I-N 结离子注入工艺的制备实现 | 第51-53页 |
| ·调制器芯片与外部 PCB 版的互联 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 测试平台搭建与调制器结构测试 | 第56-66页 |
| ·纳米波导谐振腔调制器测试环境与平台搭建 | 第56-57页 |
| ·调制器件实验测试与结果分析 | 第57-65页 |
| ·调制器微环谐振腔性能测试 | 第57-59页 |
| ·调制器件静态特性测试 | 第59-62页 |
| ·调制器件瞬态特性测试 | 第62-64页 |
| ·测试参数结果分析 | 第64-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第六章 总结与展望 | 第66-68页 |
| ·工作总结 | 第66页 |
| ·下一步工作和未来研究方向 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
