| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-18页 |
| ·半导体固态存储器 | 第8-11页 |
| ·相变存储器 | 第11-13页 |
| ·相变存储器单元电特性表征 | 第13-16页 |
| ·本论文的研究目的与各部分内容安排 | 第16-18页 |
| 2 相变存储器单元高速擦写测试方案 | 第18-31页 |
| ·高频、高速测量技术特点 | 第18-20页 |
| ·相变存储器单元样品 | 第20-22页 |
| ·测试电路整体配置 | 第22页 |
| ·接口电路板设计 | 第22-24页 |
| ·测试电路的 SPICE 建模和仿真 | 第24-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 3 相变存储器单元超快速 RESET 测试结果及机理讨论 | 第31-43页 |
| ·单元 RESET 测试结果与分析 | 第31-33页 |
| ·相变存储器单元超快速非晶化现象研究 | 第33-35页 |
| ·相变存储器单元有限元模拟 | 第35-38页 |
| ·相变存储器单元在皮秒脉冲作用下的非晶化机理讨论 | 第38-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 4 相变存储器阵列高速擦写测试系统设计 | 第43-61页 |
| ·相变存储器阵列 | 第43-44页 |
| ·系统硬件整体设计 | 第44-45页 |
| ·测试接口电路设计 | 第45-54页 |
| ·测试系统程序设计 | 第54-57页 |
| ·测试系统性能验证 | 第57-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 5 总结与展望 | 第61-63页 |
| ·总结 | 第61-62页 |
| ·展望 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 附录 攻读硕士期间发表论文情况 | 第68页 |