| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| §1.1 引言 | 第8-9页 |
| §1.2 硫系非晶态半导体简介 | 第9-10页 |
| §1.3 本课题的意义和研究内容 | 第10-12页 |
| 第二章 光波导基础理论 | 第12-28页 |
| §2.1 平面光波导理论 | 第12-21页 |
| §2.1.1 波动方程 | 第12-15页 |
| §2.1.2 模式分类讨论 | 第15-20页 |
| §2.1.3 平面波导本征模 | 第20-21页 |
| §2.2 棱镜耦合实验方法 | 第21-28页 |
| §2.2.1 棱镜耦合原理 | 第21-23页 |
| §2.2.2 棱镜耦合法测薄膜折射率和厚度 | 第23-28页 |
| 第三章 掺锡As_2S_8非晶态薄膜波导的制备 | 第28-34页 |
| §3.1 材料的制备 | 第28-29页 |
| §3.2 薄膜的制备 | 第29-32页 |
| §3.3 薄膜参数测试 | 第32-34页 |
| 第四章 掺锡As_2S_8的光阻断恢复响应特性及分析 | 第34-48页 |
| §4.1 实验装置 | 第34-35页 |
| §4.2 Sn_1As_(20)S_(79)样品的光谱 | 第35-36页 |
| §4.3 光阻断效应的恢复响应特性 | 第36-38页 |
| §4.3.1 完全截止的恢复响应特性 | 第36-37页 |
| §4.3.2 未完全截止的恢复响应特性 | 第37页 |
| §4.3.3 辅助光影响下的恢复响应特性 | 第37-38页 |
| §4.4 恢复响应的机理分析与理论模型初探 | 第38-48页 |
| 第五章 掺锡As_2S_8薄膜的光折变特性 | 第48-56页 |
| §5.1 实验装置 | 第48-49页 |
| §5.2 沉积态薄膜的光折变和光致体积变化特性 | 第49-50页 |
| §5.3 退火态薄膜的光致折射率变化特性 | 第50-53页 |
| §5.3.1 薄膜的折射率和体积变化与退火温度的关系 | 第50-51页 |
| §5.3.2 退火态薄膜的完全可逆光折变效应 | 第51-52页 |
| §5.3.3 退火态薄膜的不可逆光折变效应 | 第52-53页 |
| §5.4 光饱和态薄膜的退火特性 | 第53-56页 |
| 第六章 掺锡As_2S_8条波导制备 | 第56-58页 |
| §6.1 掺锡As_2S_8条波导制备工艺 | 第56-57页 |
| §6.2 条波导试制和导波实验 | 第57-58页 |
| 第七章 总结 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 在读期间公开发表的论文和承担科研项目及取得成果 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
